《安森美半导体与奥迪公司合作开发自主电动汽车电子产品》

  • 来源专题:集成电路
  • 编译者: Lightfeng
  • 发布时间:2018-02-11
  • 提供汽车,通信,计算,消费,工业,医疗,通信,电力,通信,航空航天和国防应用的安森美半导体,已经宣布与奥迪公司建立战略合作关系后,成为德国汽车制造商进步半导体计划(PSCP)的一部分。

    跨学科半导体战略的目标是促进创新和品质,并尽早为奥迪车型提供最新技术,满足客户在性能,可靠性,安全性和操作便利性方面快速变化和发展的期望。

    由于先进的动力系统电气化,先进的驾驶辅助系统(ADAS)和向自动驾驶的发展,基于半导体解决方案的汽车创新越来越多,这一趋势将持续下去。此外,其他应用也在推动汽车行业的半导体应用。因此,高度重视与领先的半导体供应商一起制定计划和标准,以创建对技术创新和质量的相互理解。

相关报告
  • 《安森美半导体与Keysight合作开发功率器件EDA》

    • 来源专题:集成电路
    • 编译者:Lightfeng
    • 发布时间:2018-11-19
    • 美国的Keysight Technologies公司被安森美半导体选为电子设计自动化(EDA)的合作伙伴,他们将设计出功率器件的方案,提高产品可靠性并加快其上市时间。Keysight指出,功率器件行业需要更高能效的产品。 安森美半导体宽带隙应用工程主管Mehrdad Baghaie Yazdi评论道:“Keysight先进的设计系统(ADS)软件与安森美半导体先进的物理SPICE模型无缝集成,使我们能够研究设备与环境之间的相互作用,加深优化应用程序设计的见解,我们的内部测试电路可从中受益。” 德克萨斯电子设计自动化(EDA)全球设计软件规划经理Charles Plot说t:“Keysight的电力电子设计解决方案与电磁场求解器集成,设计人员能够使设计效果可视化,从而无需耗时去构建和测试原型,这加速了安森美半导体宽带隙器件的上市时间。”
  • 《安森美半导体推出用于电动汽车充电器的SiC MOSFET 模块》

    • 来源专题:集成电路
    • 编译者:Lightfeng
    • 发布时间:2021-06-11
    • 安森美半导体为推出了一款1200V SiC MOSFET 2-PACK 模块,可用于电动汽车充电器。EC充电桩功率需要需要超过 350 kW,标准效率为95%。 全新1200V M1全碳化硅MOSFET 2-PACK模块基于平面技术打造,适用于18-20 V范围内的驱动电压,易于使用负栅极电压驱动。与沟槽 MOSFET 相比,较大的芯片可降低热阻,可以在相同的工作温度下降低芯片温度。 NXH010P120MNF 配置为2-PACK 半桥结构,是采用F1封装的10 mohm器件,而 NXH006P120MNF2 是采用 F2 封装的6 mohm 器件。这些封装具有压配合引脚,适用于工业应用,并且嵌入式负温度系数(NTC)热敏电阻有助于温度监控。 作为安森美半导体电动汽车充电生态系统的一部分,新型SiC MOSFET 模块旨在驱动器解决方案一起使用,如NCD5700x 器件。最近推出的NCD57252双通道隔离式 IGBT/MOSFET 栅极驱动器提供 5 kV 电流隔离,可配置为双低侧、双高侧或半桥操作。 NCD57252采用小型 SOIC-16 宽体封装,接受逻辑电平输入(3.3 V、5 V 和 15 V)。由于典型传播延迟为60ns,大电流器件适用于高速操作。 安森美半导体的碳化硅MOSFET与全新模块和栅极驱动器形成互补,与类似的硅器件相比,该器件具有更优良的开关性能和散热性能,从而提高效率、提高功率密度、改善电磁干扰(EMI)并减小系统尺寸和重量。 最近发布的 650 V 碳化硅 MOSFET 采用新颖的有源单元设计,结合先进的薄晶圆技术,为(RDS(on)*area)提供一流的品质因数(FoM)。NVBG015N065SC1、NTBG015N065SC1、NVH4L015N065SC1 和 NTH4L015N065SC等系列器件为D2PAK7L / TO247 封装的 MOSFET 提供市场上最低的 RDS(on)。 1200 V 和 900 V N 沟道 SiC MOSFET 小芯片尺寸较小,可降低器件电容和栅极电荷,当在电动汽车充电器要求的高频下运行时,可以降低开关损耗。