《Custom MMIC在IMS 2018上推出GaAs和GaN MMIC》

  • 来源专题:集成电路
  • 编译者: Lightfeng
  • 发布时间:2018-06-17
  • 在美国马萨诸塞州费城举行的IEEE MTT国际微波研讨会(IMS 2018)上(6月10日至15日),美国马萨诸塞州Westford的单片微波集成电路开发商Custom MMIC推出了CMD283C3超低噪声放大器(ULNA) MMIC,其提供0.6dB的噪声系数,优于所有其他LNA MMIC,据称可与分立元件实现相媲美。它工作在2-6GHz的频率范围(S和C频段),输出三阶截点(IP3)为+ 26dBm。

    该公司还推出了该公司新型砷化镓(GaAs)MMIC数字衰减器系列的四名成员。CMD279和CMD280以5位控制运行高达30GHz。衰减范围高达15.5dB。两个2位衰减器,DC-35GHz CMD281和DC-40GHz CMD282,分别提供2dB和4dB步长的粗略控制。所有四款器件均提供+ 42dBm的输入IP3。

    该公司的进一步MMIC发布包括更多的超低噪声放大器和数字衰减器,以及宽带分布式功率放大器和氮化镓(GaN)混合器。

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    • 来源专题:集成电路
    • 编译者:Lightfeng
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    • 单片微波集成电路开发商美国马萨诸塞州威斯特福德的定制MMIC已经增加了CMD226N3的宽带频率倍增器系列,跨越了7-11GHz的输入频率(C-和X频段,输入; Ku-和K- 带输出)。据称是低转换损耗和高Fo隔离使其适用于蜂窝回程应用中的点对点微波/毫米波无线电的军用雷达,SMDS,SATCOM,VSAT和LO链。 基于砷化镓(GaAs)的CMD226N3是一个x2无源倍频器,提供宽带性能,采用QFN封装。在+15 dBm的驱动电平下,它在18GHz时提供9.0dBm的转换损耗,并提供44dB输入电平的Fo隔离。3Fo和4Fo隔离度分别至少为48dBc和50dBc。 极度温度稳定,转换增益在整个工作频带范围内与标称值的差异小于2dB,在变频驱动条件下也非常稳定。CMD226N3的被动设计展现了所谓的卓越的相位噪声性能,而不需要偏置电路。它还集成了50欧姆匹配的芯片设计,消除了RF端口匹配设备的必要性。
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    • 编译者:Lightfeng
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