光刻机已是当下中国芯片制造的最大瓶颈，为此中国芯片产业链一直都在共同努力，力求打破这一难关，而哈工大公布的光刻机技术将有助于打破这个环节，国产芯片的先进工艺问题将因此得以解决。
光刻机的研发难度非常大，虽然全球仅有ASML可以生产出先进光刻机，然而ASML自身也无法完全搞定整个光刻机元件，它自己仅能完成其中10％的零部件，其他零部件需要全球20多个国家的5000多家企业配合，由此可见光刻机这条产业链多么长。
中国的光刻机研发进展落后于其他环节，恰恰就在于产业链需要逐步完善，由于众所周知的原因，中国不仅难以买到先进光刻机，连先进光刻机的元件都难以买到，迫使我们建设自己的光刻机产业链。
此前在国内产业链的支持下，已逐步解决了双工作台、物镜系统、激光光源等诸多光刻机零部件，这次哈工大研发的“高速超精密激光干涉仪”，这项技术是14纳米光刻机的重要技术，可以确保掩膜工作台、双工作台和物镜系统之间复杂的相对位置，实现光刻机的整体套刻精度，可以确保诸多元件整合成系统后的芯片工艺精度，已是光刻机的最后技术之一，也意味着国产先进光刻机即将完成最后的步骤。
对于芯片制造工艺来说，14纳米光刻机并不仅限于生产14纳米工艺，通过多重曝光技术可以实现接近7纳米的工艺，其实此前台积电和三星都并非是从14纳米一步迈进到7纳米，还研发了10纳米、8纳米等工艺，甚至在7纳米工艺上也有7纳米和7纳米EUV之分，故以14纳米光刻机生产接近7纳米工艺的芯片是有可能的。
国产芯片除了在芯片制造工艺方面努力之外，还积极开发小芯片技术，通过将两块芯片堆叠可以大幅提升性能；将不同工艺、不同功能的芯片封装在一起也能大幅提升性能，这些技术台积电、Intel都在尝试，因为当前的硅基芯片达到3纳米之后已接近极限，开发芯片封装技术已成为芯片行业发展的一个方向。
国产芯片制造工艺如果能达到7纳米，加上小芯片技术，那么国产芯片的性能可望进一步提升至接近5纳米，到那个时候，困扰国产芯片的最大障碍将被彻底解决，美国意图以先进芯片技术阻碍中国科技体系发展的图谋将破产。
其实国产芯片如今在多条途径上发展先进芯片，上述这些都是基于现有的硅基芯片技术，而欧美发展硅基芯片技术已有近百年历史，这让他们在硅基芯片方面保持着领先优势，中国除了在硅基芯片上加快追赶之外，还在开发更先进的芯片技术，如量子芯片、光子芯片、碳基芯片技术等，这将是中国芯片弯道超车的机会。
在这些先进芯片技术方面，中国已取得一些优势，2022年底至今，中国已先后筹建了全球第一条量子芯片生产线、光子芯片生产线，凸显出中国在先进芯片技术方面的突破，这些先进芯片技术在加速推进量产，一旦实现商用就将具有赶超欧美的实力。
总的来说美国阻碍中国芯片产业发展的计划已不可能，反而是激发了中国芯片行业的潜力，短短数年时间在诸多芯片技术方面都取得突破，中国芯片或许在不久的将来打破美国在芯片技术方面的领先优势，正是有见及此，美国才会在诸多技术方面施加限制，反过来恰恰说明了中国芯片确实取得了巨大的进展，让它深感威胁。
