《晶盛机电实现12英寸SiC单晶技术突破》

  • 编译者: AI智能小编
  • 发布时间:2025-06-24
  • 晶盛机电子公司浙江晶瑞电子材料有限公司近日成功突破12英寸导电型碳化硅(SiC)单晶生长技术,首次出炉的12英寸SiC晶体直径达309mm,质量完好。这一成就表明晶盛机电在SiC领域实现了6-12英寸全尺寸长晶技术的自主可控,显著提升了我国SiC产业链的自主化水平。浙江晶瑞通过自主研发的SiC单晶生长炉和升级的8-12英寸长晶工艺,经过多年攻关,解决了温场不均、晶体开裂等核心难题,大幅提升了晶圆的有效可用面积,降低了芯片单位成本。此次突破标志着晶盛机电迈入超大尺寸SiC衬底新时代,有助于加速我国SiC产业链的完善,并推动国产SiC材料在新能源汽车、光伏储能、智能电网、5G及AI/AR智能眼镜等领域的快速规模化应用。
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    • 我国实现米级单晶石墨烯的制备2017/11/20 点击 115 次中国粉体网讯 石墨烯是典型的二维轻元素量子材料体系,具有优越的量子特性。科学界在石墨烯体系中观察到了许多量子现象和量子效应,石墨烯已经成为凝聚态物理研究领域的重要量子体系,在未来量子信息、量子计算和量子通讯等领域具有广泛的应用前景。 如何获得大尺寸单晶石墨烯是石墨烯研究领域的热点和难点,是实现石墨烯工业化应用的基础。虽然利用化学气相沉积方法(CVD)方法已经实现了米级多晶石墨烯薄膜的制备,但是米级单晶石墨烯薄膜技术还未被突破。 最近,在量子调控与量子信息重点专项项目的支持下,北京大学刘开辉研究员、俞大鹏院士、王恩哥院士及其合作者,继2016年首次实现石墨烯单晶的超快生长之后,在米级单晶石墨烯的生长方面再次取得重要进展。 研究团队将工业多晶铜箔转化成了单晶铜箔,得到了世界上目前最大尺寸的单晶Cu(111)箔,利用外延生长技术和超快生长技术成功在20分钟内制备出世界最大尺寸(5×50 cm2)的外延单晶石墨烯材料。该研究结果为快速生长米级单晶石墨烯提供了必要的科学依据,为石墨烯单晶量子科技...
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