《晶盛机电实现12英寸SiC单晶技术突破》

  • 编译者: AI智能小编
  • 发布时间:2025-06-24
  • 晶盛机电子公司浙江晶瑞电子材料有限公司近日成功突破12英寸导电型碳化硅(SiC)单晶生长技术,首次出炉的12英寸SiC晶体直径达309mm,质量完好。这一成就表明晶盛机电在SiC领域实现了6-12英寸全尺寸长晶技术的自主可控,显著提升了我国SiC产业链的自主化水平。浙江晶瑞通过自主研发的SiC单晶生长炉和升级的8-12英寸长晶工艺,经过多年攻关,解决了温场不均、晶体开裂等核心难题,大幅提升了晶圆的有效可用面积,降低了芯片单位成本。此次突破标志着晶盛机电迈入超大尺寸SiC衬底新时代,有助于加速我国SiC产业链的完善,并推动国产SiC材料在新能源汽车、光伏储能、智能电网、5G及AI/AR智能眼镜等领域的快速规模化应用。
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    • 我国实现米级单晶石墨烯的制备2017/11/20 点击 115 次中国粉体网讯 石墨烯是典型的二维轻元素量子材料体系,具有优越的量子特性。科学界在石墨烯体系中观察到了许多量子现象和量子效应,石墨烯已经成为凝聚态物理研究领域的重要量子体系,在未来量子信息、量子计算和量子通讯等领域具有广泛的应用前景。 如何获得大尺寸单晶石墨烯是石墨烯研究领域的热点和难点,是实现石墨烯工业化应用的基础。虽然利用化学气相沉积方法(CVD)方法已经实现了米级多晶石墨烯薄膜的制备,但是米级单晶石墨烯薄膜技术还未被突破。 最近,在量子调控与量子信息重点专项项目的支持下,北京大学刘开辉研究员、俞大鹏院士、王恩哥院士及其合作者,继2016年首次实现石墨烯单晶的超快生长之后,在米级单晶石墨烯的生长方面再次取得重要进展。 研究团队将工业多晶铜箔转化成了单晶铜箔,得到了世界上目前最大尺寸的单晶Cu(111)箔,利用外延生长技术和超快生长技术成功在20分钟内制备出世界最大尺寸(5×50 cm2)的外延单晶石墨烯材料。该研究结果为快速生长米级单晶石墨烯提供了必要的科学依据,为石墨烯单晶量子科技...
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    • 硅晶圆供需缺口越来越大 据悉,硅晶圆一直是我国半导体产业链的一大短板,目前国内企业只能达到4~6英寸硅片的性能需要,并少量供应8英寸市场,12英寸硅晶圆基本是空白。 然而一旦供需失衡,未来国内一些新建的晶圆制造企业或者中小型晶圆厂就有可能陷入产能开出却无晶圆可用的尴尬局面。 物联网及车用电子显然带动了2015——2020年半导体市场成长,全球硅晶圆市场,8寸与12寸硅晶圆产品因需求极度热络强劲。目前,台积电、联电等代工龙头企业日前已与日本信越(ShinEtsu)、SUMCO等硅晶圆主要供应商签订1~2年短中期合约,其中12英寸硅片签约价已提高到每片120美元,相比去年年底的75美元上涨60%。 12英寸缺货已成国内企业一大“心病” 硅晶圆,简单的说就是指制造半导体集成电路所需的硅芯片,由于形状是圆形,所以称为晶圆。其价格在去年触到了近11年来的低点,随后缓慢企稳回暖。进入2017年,全球硅晶圆各大供应商开始进入缺货状态,包括中芯、三星等企业均开始出手大抢货源,中小企业更是不惜加价购买。 去年国内企业在4~6英寸硅片(含抛光片、外延片)上的产量约为5200万片,基本可以满足国内4~6英寸的晶圆需求。 具备8英寸硅片和外延片生产能力的则有浙江金瑞泓、昆山中辰(台湾环球晶圆子公司)、北京有研总院、河北普兴、南京国盛、中国电科46所以及上海新傲,合计月产能为23.3万片/月。 至于12寸硅晶圆片,目前我国还不具备生产能力,只能依赖进口。 发展国内硅晶圆供应刻不容缓 目前,全球300mm硅片实际出片量已占各种硅片出片量的65%左右,但国内的产量几乎为零。显然,硅晶圆的短缺,已成为国内一个刻不容缓的难题。 而国内厂商也在加紧增加多条先进半导体芯片厂,同时也开始了国际化进程。此前福建宏芯就曾有意收购全球第四大硅晶圆供应商德国Silitronic公司,但由于其他一些因素而没有成功。 不过,虽然目前我国在半导体硅晶圆制造工艺上还不足以与国外厂商抗衡,但随着中国在半导体领域的投入,尤其以北方华创、中微、福建宏芯、上海新昇等为代表的厂商的崛起,我国企业必将打破国外垄断。