Teledyne e2v HiRel电子公司推出了650V / 60A氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）器件，专用于可靠性要求高（HiRel）的应用。据称新型650V / 60A增强型功率晶体管是市场上电压最高的GaN FET。
业务开发副总裁Mont Taylor表示：“发布HiRel 650V GaN FET是一个行业里程碑，为苛刻的空间和军事COTS应用提供了更多优势，非陶瓷封装将使客户能够从低重量和高效率的GaNPX封装中受益，从而在这些严格的应用中实现最佳性能。”
对于要求苛刻的高功率应用，GaN功率FET技术是最新和最有效的选择方案，该公司表示新的650V FET基于此额外提供的好处还包括：非常高的开关频率、SWaP（该设备采用非常小的封装）、高压大电流、高能量密度和模块化灵活性。
