《格芯与欧洲微电子中心于AI芯片研发取得突破》

  • 来源专题:集成电路
  • 编译者: shenxiang
  • 发布时间:2020-07-13
  • 日前,全球领先的纳米电子及数字技术研究中心IMEC(欧洲微电子中心)和格罗方德共同发布了一种新型AI芯片AnIA的硬件展示。基于IMEC模拟内存计算(AiMC)架构与格芯22FDX技术,新芯片可在模拟域的内存计算硬件上执行深度神经网络计算,帮助低功耗设备实现边缘推理。同时,这项新技术在隐私保护、安全性和延迟性方面的优势,将会对从智能扬声器到自动驾驶汽车等各种边缘设备中的AI程序产生重大影响。

    从早期的数字计算机时代开始,处理器已经从存储器中分离出来。在内存容量指数级提升以后,CPU和内存之间的数据传输带宽却成为了瓶颈,这也就是人们所说的冯·诺伊曼瓶颈。这种限制会掩盖实际的计算时间,特别是在依赖于大型向量矩阵乘法的神经网络中。这些计算的执行需要数字计算机的精密度,以及大量的能量支持。然而,如果是采用较低精度的模拟技术执行向量-矩阵乘法,神经网络也可以获得准确的计算结果。

    为了应对这一挑战,IMEC及其工业合作伙伴,包括格芯在内,在IMEC的工业合作机器学习计划开发了一种新的体系结构,通过在SRAM单元中执行模拟计算消除了冯·诺依曼瓶颈。由此产生的模拟推理加速器(AnIA)以格芯22FDX半导体平台为基础,具有超高的能效。特性测试显示,AnIA的功率效率最高可达到2900 TOPS/W。通常由数据中心的机器学习驱动的微型传感器及低功耗边缘设备中的模式识别,现在可以在这个节能加速器上进行本地执行。

    IMEC机器学习项目主管Diederik Verkest表示:“AnIA的成功流片是验证模拟内存计算架构的重要一步。参考设计的实现不仅表明AiMC在实践中是可能的,且它取得的能效要比数字加速器好10到100倍。在IMEC的机器学习程序中,我们会对现有的和新兴的内存设备进行优化,以更好地进行模拟内存计算。目前看来,这些成果具有良好的前景,这也鼓励我们进一步发展这项技术,朝着10000 TOPS/W的目标迈进。”

    格芯计算和有线基础设施产品管理副总裁Hiren Majmudar则表示:“一直以来,格罗方德与IMEC都保持着密切合作。此次双方利用GF低功耗、高性能的22FDX平台成功研发出新的AnIA芯片,也是向业界展示22FDX如何降低能源密集型AI和机器学习应用能耗的关键一步。”

    未来,格罗方德将把AiMC芯片融合进22FDX平台,用于开发AI市场的差异化解决方案。目前,搭载AiMC的22FDX正在GF最先进的300mm生产线上进行开发,该生产线位于德国德累斯顿1号工厂。

相关报告
  • 《美国芯片法案 VS 欧洲芯片法案》

    • 来源专题:智能制造
    • 编译者:icad
    • 发布时间:2023-05-12
    •     过去几年,半导体行业以一种非常艰难的方式向世界展示了其重要性。之前,美国和欧盟各自都没有足够的产能,这让他们的半导体行业极具脆弱性和依赖性。     鉴于疫情期间涌现的对半导体的大量需求,美国推出了《芯片和科学法案》。该法案的初衷是旨在刺激对其国内半导体制造能力的投资,加强供应链和国家安全。     2022年8月初,美国总统拜登签署生效了该法案,提供527亿美元用于刺激美国半导体研发、制造和人力发展。该法案的目标是提高美国国内半导体制造水平,并最终减少对亚洲生产的依赖。目前,该法案已经产生了实质的影响。     SIA在一份报告中指出,自2020年5月以来,美国各地已宣布了40多个新的半导体生态系统项目,包括新的晶圆厂、现有工厂的扩建,以及为半导体行业供应和生产材料和设备的设施建设项目。     这些项目分布在美国的16个州,私有投资价值总共近2000亿美元,同时也将创造约40000个新的高质量工作岗位。 此外,材料、化学品和设备的供应商也在对晶圆厂建设的增加进行应对。提供晶圆、高纯度化学品、半导体制造设备和特种气体的企业也宣布了一些投资设施的计划,如ASML、Hemlock Semiconductor、SK Siltron CSS、EMD         Electronics、Edwards Vacuum和Globalwafer等公司,以支持不断增长的美国国内制造能力。总的来说,这些官宣了的项目在未来10年的价值达90亿美元,将带来4971个新的工作岗位。     欧盟的对等法案也于2022年初推出,但直到现在,它才获得欧盟各机构的批准。2023年4月, 欧洲 理事会和欧洲议会就加强欧洲半导体生态系统达成了一项临时政治协议,即众所周知的《欧盟 芯片法案 》。     《欧盟芯片法案》预计将为发展欧洲工业基地创造条件,到2030年,该基地可以使欧盟在半导体领域的全球市场份额翻番,从10%达到至少20%。然而,这个数字一直存在争议。     表面来看,这两个法案似乎大同小异。他们都有类似的目标,旨在为各自的地区创造更好的基础,并将提供差不多的资助资金。在某种程度上,它们的主要区别似乎只是语义和措辞。但如果往深了看则不然。     针锋相对,目标相似,预算不同     提高供应链弹性,以及从国家安全角度防范中国的发展,是美国芯片法案的两个主要目标。而《欧盟芯片法案》在寻求加强其供应链弹性的同时,还要维护欧洲主权和战略的独立性。不久前,德国工业联合会(BDI)发布了一份报告,直接比较了欧盟和美国芯片法案的不同关键要素,那这两项法案是如何一争高低的呢?     先从资金方面来看,这两项法案似乎确实具有可比性。美国《芯片和科学法案》为半导体行业提供了527亿美元资金,而欧盟将调动430亿欧元资金。“调动”是一个关键词。欧盟没有通过《芯片法案》来提供额外的“新资金”,因为这笔资金将部分来自现有的欧盟资助计划。     还值得一提的是,美国芯片法案中的527亿美元将严格用于半导体制造、研发和人力发展。另据麦肯锡公司指出,另外还有240亿美元的税收抵免可用于芯片生产。     美国和欧盟想要通过芯片方案实现的目标都类似——在产能方面,实现市场份额基本上翻一番。然而,他们在为实现这一目标提供的资金方面却存在巨大差异。     此外,与欧盟芯片法案不同的是,美国芯片法案提供税收优惠,以鼓励投资和制造业。在美国,对半导体生产设备和设施的投资将有可能获得25%的税收抵免。     更广泛的资金来源     与主要为“一流设施”项目提供资金的《欧盟芯片法案》不同,《美国芯片法案》没有这样的限制。《美国芯片法案》通常更多的是补贴晶圆厂的建设、现代化和扩张。正如BDI所指出的,欧洲将对第二、第三和第四类设施提供财政支持,而其它领域的投资将只能来自公司,这将降低欧洲的吸引力和竞争力。     除此之外,美国《芯片和科学法案》为“成熟半导体”特别提供了20亿美元的预算,而欧洲则没有为成熟半导体提供特别的财政支持。事实上,这正是欧洲所缺乏的。     BIS在其研究报告中指出:“目前,67%的欧洲半导体行业需要大于90nm的半导体,对22nm至65nm尺寸的半导体需求为21%,22nm至7nm尺寸的需求为7%,对小于7nm的半导体的需求仅为5%。”     人才     《美国芯片法案》也向“美国芯片人力和教育基金”拨款了2亿美元。这笔钱是为了解决半导体行业持续缺乏熟练工人的问题。     而《欧盟芯片法案》指出,它将解决熟练人才短缺的问题,还要吸引新人才,并支持熟练人才的培养,但没有明确的资金支持框架。     具有附加条件的补贴     美国芯片法案非常明确,任何依据该法案获得资金或使用税收抵免的公司都必须同意在10年内不扩大在中国大陆或任何其他“受关注国家”的半导体制造。如果出现违规行为,公司有义务偿还已经获得的补贴。相比之下,欧盟芯片法案并不要求寻求资金补贴的公司做出此类承诺。然而,在发生经济危机时,可能还是需要出口许可证。     总之,直接比较这两个法案不太容易,即使它们的目标相似,但它们的资金水平和涉及的范围都大为不同。每一个法案的成功都将取决于其吸引投资、促进创新和创建能够满足未来需求的可持续半导体产业的能力。     然而,可以肯定的是,《欧盟芯片法案》和《美国芯片法案》之间最关键的区别在于资金。如前所述,这两个法案具有相似的目标,美国的目标是取得全球芯片产能的30%份额,欧盟设定的目标则是20%,使两个地区目前产能的市场份额翻番。然而,美国是通过提供新的资金来实现其目标,而《欧盟芯片法案》中的资金主要来自现有的欧盟资助计划(如IPCEI II)、成员国的资金和企业的可能投资。在欧盟计划调动的430亿欧元中,只有33亿欧元来自欧盟预算。
  • 《更小更强的光子芯片取得理论突破》

    • 来源专题:中国科学院文献情报制造与材料知识资源中心 | 领域情报网
    • 编译者:冯瑞华
    • 发布时间:2019-03-20
    • 受制于摩尔定律,信息技术载体的存储密度与运算速度的提升均面临瓶颈,人类的目光从“电”转向了速度更快的“光”,“光子芯片”的概念应运而生。记者19日从南京理工大学获悉,该校蒋立勇教授团队提出一种新方法,实现了表面等离激元空间编码功能,从理论上为多功能、多自由度调控的光子芯片的应用开发助力,让人们距离光子芯片更近一步。 蒋立勇介绍,在尺寸更小的芯片上通过全光调控加载更多的功能,拥有更大的存储密度及更高的运行效率,是芯片发展的趋势。但要将光子芯片由概念变为现实,仍有许多理论与技术难关亟待突破,如半导体集成工艺兼容性以及光子的多功能、多自由度调控等。 与电子调控类似,人们可以通过精确调控光子行为让光实现数据的存储与运算,目前主流的调控方法之一是全光相干调控。其以相干完美吸收效应为理论基础,采用“面外”对称入射进行相干调控,但受制于这一理论基础固有的局限性,全光相干调控的模式选择性、空间选择性及集成性等性能指标有所欠缺。 蒋立勇团队另辟蹊径,以表面等离激元模式相干机理为理论基础,创新性地提出了“面内”全光相干调控方法,该方法突破了“面外”全光相干调控方法的机理限制,具有独特的模式选择性和空间选择性,更有利于芯片集成。 此外,该方法的提出也为人工微纳结构相干光谱调控提供了新思路,可拓展到光子晶体等其他微纳光子结构的光谱调控研究上,未来有望启发更多集成光通信、微纳显示和传感等领域的创新应用。相关研究成果已在线发表在国际光学期刊《光:科学与应用》上。