根据Omdia的《 2020年SiC和GaN功率半导体报告》显示，由于混合动力和电动汽车（HEV）、电源和光伏（PV）逆变器的需求，预计到2020年底，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率半导体的全球市场将增长到8.54亿美元，然后在2021年超过10亿美元。未来十年的收入将以两位数的年增长率增长，到2029年将超过50亿美元。
这些长期的市场预测总额比去年的报告低10亿美元，因为自2018年以来几乎所有应用程序的需求都在放缓。Omdia解释今年所有年份的预测始于2019年，并未考虑到COVID-19大流行的影响。
到2020年底，SiC MOSFET预计将产生约3.2亿美元的收入，与肖特基二极管的收入相当。从2021年起，SiC MOSFET将以稍快的速度增长，成为最畅销的分立SiC功率器件。虽然实现了良好的可靠性和性能，但是每个SiC JFET的收入预计却将比SiC MOSFET小得多。
现在，SiC和GaN功率器件都有数万亿小时的器件现场经验。供应商都在通过获得JEDEC和AEC-Q101认证来证明这一点。SiC和GaN器件具有很好的可靠性，通常看起来比硅更好。SiC MOSFET和SiC JFET的工作电压较低，例如650V、800V和900V，这使SiC可以在性能和价格上与Si超结MOSFET竞争。
尽管氮化镓和碳化硅目前的产能与销售仍是无法和碳材料相比，但是前景是被分析师和产业人士看好的，这需要一个长期的技术打磨，也需要时间验证材料的稳定性。
