《前沿 | 激光诱导周期结构中薄膜厚度对非晶硅薄膜的影响》

  • 来源专题:光电情报网信息监测服务平台
  • 编译者: husisi
  • 发布时间:2023-07-07
  • 自 1947 年 12 月贝尔实验室的科学家发明世界上第一个晶体管以来,微电子技术的一场革命深刻地影响了全世界的生活方式。随着电子产品变得越来越小,找到一种简单、快速、低成本的方法来制造微纳米元件是一个挑战。传统的直写制造方法,如机械划线、聚焦离子束蚀刻、电子束光刻、多光子聚合和热扫描探针蚀刻,效率低下。

    虽然纳米压印、光刻、等离子蚀刻和扫描激光干涉蚀刻等方法可以有效提高加工速度,但它们通常需要制作掩模等多个工艺步骤或需要非常恶劣的工作环境并依赖特殊材料。

    利用飞秒激光诱导表面自组织周期结构来制造纳米光栅结构引起了人们的关注。激光诱导周期性表面结构(LIPSS)利用入射光与表面电磁波之间的干涉来蚀刻材料,因此具有较高的加工精度。而且,与传统的激光干涉加工方法相比,自组织加工方法实验装置简单,大光斑扫描使其加工速度很快。

    中国西湖大学邱敏教授领导的研究人员在LIPSS方面拥有丰富的研究经验。他们最近发现,当在薄的a-Si薄膜表面感应出周期性光栅时,光栅的周期会受到不同来源电磁波的入射光干涉的影响。他们的论文“激光诱导周期结构中薄膜厚度对非晶硅薄膜的影响”已发表在《光电子学前沿》上。

    当非晶硅薄膜厚度较小(50 nm)且衬底为非硅材料时,在平板波导模式的主导下会引发小周期的LIPSS。在这种情况下,当基板材料改变(折射率改变)时,LIPSS的周期也会改变。当非晶硅薄膜厚度较大(200 nm)时,入射光与准柱面波发生干涉,在近场和远场的共同作用下诱导LIPSS的生长。该模式下 LIPSS 的周期略小于激光波长,并且与基底材料无关。基于有限差分时域方法的数值模拟支持了实验发现。

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    • 著名天文学家开普勒在400年前就曾设想不要携带任何能源,仅仅依靠太阳光压提供推力能就可使宇宙帆船驰骋太空。他认为光被物体反射时会产生力,这也可以解释为什么彗星的尾巴指向远离太阳的方向。现在,科学家们已经可以利用光压来冷却原子或其他粒子,不过这通常需要复杂的装置才可以实现。但最近瑞士巴塞尔大学Philipp Treutlein教授和Patrick Potts教授所带领的研究团队仅通过激光就成功将薄膜冷却到接近绝对零度(-273.15℃)的温度,在诸如高灵敏传感器等领域具有非常高的应用价值。该成果以“Optical Coherent Feedback Control of a Mechanical Oscillator”为题发表在PHYSICAL REVIEW X上(DOI:10.1103/PhysRevX.13.021023 )。 图 实验装置及光相干反馈回路示意图 该研究第一作者Maryse Ernzer博士表示,这项研究的特别之处在于无需进行任何测量即可实现冷却效果。根据量子力学定律,反馈回路中需要的测量会导致量子态的变化,从而导致干扰。为了避免这种情况,他们提出了一种所谓的相干反馈环路,其中激光既充当传感器又充当阻尼器。通过这种方式,研究人员成功抑制并冷却了尺寸约为半毫米的硝酸硅薄膜的热振动。 实验中,研究人员将激光照射在薄膜上,并将其反射的光耦合到光纤中。在此过程中,薄膜的振动会导致反射光的振荡相位发生微小变化。使用该振荡阶段中包含的薄膜的瞬时运动状态的信息,并有一定的时间延迟,以便在正确的时间用相同的激光对薄膜施加合适的力。“这有点像在恰当的时间用脚短暂接触地面来减慢秋千摆动的速度,”Ernzer解释道。为了达到大约100ns的最佳延迟,该团队使用了一根30m长的光纤。 研究团队主要成员之一Manel Bosch Aguilera博士后表示,Potts教授及其同事对该研究进行了理论描述,并计算了可以达到的最低温度的条件,并通过实验进行了验证。他们最后成功将薄膜冷却至480微开尔文,即比绝对零温度高不到千分之一摄氏度。 研究团队计划改进实验,使薄膜尽可能冷却到更低的温度, 即振荡的量子力学基态。在此之后,他们还可以创建所谓的薄膜挤压状态。基于这种状态的传感器可以实现更高的测量精度,在原子力显微镜等技术领域具有非常大的应用潜力。
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    • 来源专题:中国科学院文献情报制造与材料知识资源中心 | 领域情报网
    • 编译者:冯瑞华
    • 发布时间:2020-03-20
    • 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员张凯与湖南大学教授潘安练、深圳大学教授张晗合作,在《自然-通讯》(Nature Communications)上发表题为Epitaxial nucleation and lateral growth of high-crystalline black phosphorus films on silicon 的研究论文,报道了一种在硅等介质基底上生长高结晶性黑磷薄膜的方法。 黑磷是一种具有高载流子迁移率、0.3~1.5 eV随厚度可调直接带隙以及各向异性等优异性质的二维层状半导体材料,在新型电子和光电子器件等领域,如高迁移率场效应晶体管、室温宽波段红外探测器及多光谱高分辨成像等方面具有独特的应用优势,受到广泛关注。然而,黑磷的大规模应用开发迄今仍受限于大面积、高质量薄膜的制备。传统上,黑磷可以通过高温高压、汞催化或从铋溶液中重结晶等方法来制备。通过矿化剂辅助气相输运法(CVT)则可进一步提高其产率和结晶度。但是,这些方法仅可获得黑磷晶体块材,很难直接在衬底上生长黑磷薄膜。最近,也有研究人员通过脉冲激光沉积或借鉴高温高压法尝试在介质衬底上直接生长黑磷薄膜。然而,获得的薄膜多为非晶态,晶粒尺寸小、迁移率等电学性能不理想,离实际应用需求相距甚远。尽管很多研究都做出了巨大努力,包括张凯团队前期在黑磷生长、掺杂、复合所做出的持续性工作尝试(Small 2016, 12, 5000; Adv. Funct. Mater. 27, 1702211, 2017; Nature Commun. 9, 4573, 2018),但如何在基底上实现黑磷成核进而高结晶性薄膜的可控生长依然是一大挑战。 作者在这项工作中,开发了一种新的生长策略,引入缓冲层Au3SnP7作为成核点,诱导黑磷在介质基底上的成核生长。在以往报道的CVT方法中,以Au或AuSn作为前驱体生长黑磷晶体时,Au3SnP7是其中重要的中间产物之一。作者考虑以Au3SnP7来诱导黑磷成核,主要是注意到两点:一是Au3SnP7在黑磷生长过程中可以非常稳定地存在;二是其(010)面的磷原子排布与黑磷(100)面具有匹配的原子结构。基于此,作者通过在衬底上生成Au3SnP7来控制黑磷的成核和生长。其中Au3SnP7的形成是将沉积了Au薄膜的硅衬底与红磷、Sn、SnI4前驱体一起在真空封管中加热获得,其形貌通常为分散在硅衬底上的规则形状晶体,尺寸数百纳米。在随后的保温过程中,发生P4相向黑磷相的转变并在Au3SnP7缓冲层上外延成核。这一假定可以从高分辨截面TEM图像得到印证,可以清晰看到黑磷与Au3SnP7有序共存以及它们之间原子级平滑的界面。随后,在持续的磷源供给及降温过程中,会观察到过渡态黑磷纳米片产物及其在硅衬底上的生长、融合,最终获得表面平整洁净的连续黑磷薄膜。 在生长过程中,P4蒸气的过快输运不利于黑磷薄膜形貌、厚度的控制。为了实现可控的黑磷薄膜生长,作者设计了几种方法来减少参与相变转化的P4源。其一,将红磷置于低温侧,而黑磷薄膜的生长置于远端的高温侧。由此,升华而成的P4分子需经历逆温度梯度的热动力学输运到生长的衬底端,其输运速度及参与反应的量得以有效控制。此外,将多片镀有Au膜的硅衬底叠放,利用衬底之间非常狭小的间隙来限制扩散进入衬底间、在Au3SnP7缓冲层上实际参与生长的P4分子的量。通过这些策略,可以在硅衬底上生长出厚度从几纳米到几百纳米可调的黑磷薄膜。随着厚度的增加,可获得的薄膜尺寸也相应越大。当厚度约为100 nm或以上时,很容易生长出几百微米至亚毫米大小的黑磷薄膜。 所生长的黑磷薄膜具有良好的结晶性及优异的电学性质,室温下的场效应迁移率和霍尔迁移率分别超过1200 cm2V-1s-1和1400 cm2V-1s-1,开关比高达106,与从黑磷晶体中机械剥离的纳米片相当。此外,比较有趣的是,生长的黑磷薄膜还显示出独特的层状微观结构,由几纳米厚(~5-10 nm)的黑磷层作为单元有序堆叠构成,单元之间保持大致等量纳米级的微小间隙。这样特异的微结构,使得生长的黑磷薄膜相比于常规层间致密堆叠结构黑磷薄膜还表现出优异的光学性能,在红外波段具有增强的红外吸收和光致发光等特性。 这项工作为大面积、高质量黑磷薄膜的可控制备提供了新途径,也进一步推进了黑磷在高通量器件集成以及新型光电子器件开发等方面的广泛应用。相关研究成果发表在《自然-通讯》期刊上(Nature Communications,DOI:10.1038/s41467-020-14902-z)。该工作获得国家相关人才计划(61922082)等的经费支持,以及苏州纳米所纳米真空互联实验站(Nano-X)在表征测试上的大力帮助。