《突破 | 哈工大研究团队为拓扑光子芯片的高效集成提供全新解决方案》

  • 来源专题:光电情报网信息监测服务平台
  • 编译者: 胡思思
  • 发布时间:2025-06-06
  • 近日,哈尔滨工业大学物理学院丁卫强教授课题组在拓扑光子芯片领域取得重要突破,相关研究成果以《基于横向自旋匹配机制的拓扑光子晶体波导的高效耦合》(Efficient coupling of topological photonic crystal waveguides based

    on transverse spin matching mechanism)为题发表于《自然通讯》(Nature

    Communications)。

    拓扑光子波导因鲁棒传输特性备受关注,但其与片上功能器件的低输入/输出耦合效率制约实际应用。传统模式匹配方法依赖电场模式的严格对准,但针对拓扑波导时效率较低。丁卫强教授团队通过理论计算与实验验证,首次揭示了横向自旋匹配(TSM)是拓扑波导高效耦合的关键机制。研究发现,横向自旋与能量流传播方向通过自旋?动量相互作用而锁定,通过调控横向自旋分布可实现能量单向传输。基于此,团队利用遗传算法设计出尺寸仅1.2×0.8 微平方米的超高效率耦合器,理论传输效率96.3%,实验测量也高达94.2%,较此前报道结果提升显著。研究表明横向自旋匹配(TSM)机制具有普适性,可扩展至其他拓扑结构,且耦合效率可通过进一步的深度优化继续提升(数值模拟结果显示效率能够超过99%)。该成果为拓扑光子芯片的大规模功能集成奠定了理论基础。

    横向自旋匹配实现波导与拓扑波导高效耦合

  • 原文来源:https://www.nature.com/articles/s41467-025-59941-6
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    • 来源专题:光电情报网信息监测服务平台
    • 编译者:husisi
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    • 日前,吉林大学电子科学与工程学院超快光电技术研究团队在集成光子芯片领域取得重要进展,该研究成果以“Non-Abelian braiding on photonic chips”为题在线发表于《自然•光子学》。 飞秒激光直写技术是一种将脉冲激光光束聚焦于材料表面或内部,通过激光焦点与材料的非线性相互作用,引起材料性质改变的微纳加工技术。得益于其独特的加工方式,飞秒激光直写技术可以实现任意三维形状结构的加工制备,这给片上三维光子集成提供了可能。然而,当前成熟的片上光子器件的设计原理大多是面向二维芯片,面向第三个空间维度的研究仍然十分缺乏。将片上光子集成推广到三维,除了可以在物理空间上为提高器件的集成度提供直接解决方案,更可以提供新的物理自由度用于设计新型片上光子操控手段。 图.光子芯片上多个光子态的非阿贝尔编织实验 针对飞秒激光直写三维光子芯片的巨大应用潜力,研究团队提出并在芯片上成功验证了一种新型三维光子集成与操控机制??非阿贝尔编织机制,用于实现片上光量子逻辑等应用。非阿贝尔编织的概念最早在凝聚态领域被提出,用于实现受拓扑保护的量子计算。非阿贝尔编织本质上是实现一个幺正矩阵变换,因此可以利用光学体系中的贝里几何相位矩阵来实现这一操作。 沿着这一思路,研究团队在光子芯片上成功实现了多达五个光子模式的非阿贝尔编织现象,通过激光实验和单光子实验分别验证了非阿贝尔编织的重要特性---编织结果依赖于编织顺序,并通过巧妙的干涉实验提取了非阿贝尔规范势引起的贝里相位矩阵。该编织机制具有非常好的可拓展性,通过拓展编织模式的个数和编织步骤可以构造丰富的贝里相位矩阵,面向片上光量子逻辑等应用。未来通过拓展非阿贝尔编织机制到其它光学系统中,利用贝里相位矩阵作为新的自由度,将为研究者们提供更多的手段来操控光子。
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    • 编译者:husisi
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    • 近日,暨南大学光子技术研究院丁伟研究员团队和北京理工大学路翠翠教授团队、北京大学胡小永教授团队合作在片上拓扑彩虹器件研究中取得重要进展,首次在纳米尺度的芯片上观测到显著的拓扑彩虹效应。相关成果以“On-chip nanophotonic topological rainbow”为题发表在国际学术期刊《Nature Communications》。 以光子为信息载体的微纳全光器件在光通信、光信息处理、光计算等领域有重要应用。器件尺寸越小,越有利于集成,但是,器件性能受结构参数误差影响也会越大。拓扑光子态由于受拓扑数守恒保护,与传统光子态相比具有鲁棒性和抗干扰的优点。频率作为光的自由度,是传输信息的基本载体,多频率光传输是实现大数据信息处理的基础。为了实现这一目标,可以利用光子晶体合成维度构建出片上多频率拓扑态微纳器件。这类“拓扑彩虹器件”在经历结构缩放、随机误差、材料缺陷或杂质干扰时,只要光子晶体带隙不闭合,器件性能就不会受影响。 然而,在纳米尺度实现片上集成拓扑彩虹器件面临很大挑战。一方面,光场分辨率需要极大地突破衍射极限(达到几十纳米量级)才能表征光通讯波段光子晶体单个晶格内的电场分布。另一方面,在同一芯片上制备光子晶体结构、传输波导、耦合结构、激发端的过程十分复杂。北京理工大学路翠翠教授、暨南大学丁伟研究员、孙一之讲师、北京大学胡小永教授等人利用自主开发的散射式近场光学显微镜,对合成维度光子晶体拓扑彩虹纳米器件的表面电场给出了直接表征。每个光子晶格的电场分布清晰可见,不同频率下的拓扑态电场最大值出现在不同的晶格位置,在纳米尺度芯片上实验检验了显著的拓扑彩虹效应,并且和仿真计算结果一致。 图1 .(a)样品电镜图;(b)样品测试示意图;(c)散射式近场光学显微镜实验装置图。 散射式近场光学表征技术具有两个显著优点:(1)样品形貌和光学信号能够同步测量,可以直接提供光子晶体不同位置处的电场振幅信号;(2)使用的原子力显微镜探针针尖具有小于20 nm的尺寸,能够深入到单个光子晶体空气孔中,并且提供极高的空间分辨率。此外,采用波导端面耦合方式提高激发效率,用同一根光纤收集样品表面近场反射信号,可以同时具有高收集效率和低背景噪声的优势。在纳米尺度下实现片上集成的拓扑彩虹光子器件,建立起拓扑光子学前沿研究与多频率硅基光子器件工艺的桥梁,为促进拓扑光子学物理概念向光子芯片器件应用的转化提供了新的思路和实验技术。 图2.(a)样品设计示例图;(b)计算的不同波长在合成维度光子晶体表面的光强分布;(c)样品原子力显微镜形貌图;(d)实验测得的不同波长在合成维度光子晶体表面的表面光强分布,不同波长被囚禁在界面不同晶格位置