《II-VI在上海成立技术研发中心》

  • 来源专题:集成电路
  • 编译者: Lightfeng
  • 发布时间:2021-05-06
  • 美国宾夕法尼亚州萨克森堡的工程材料和光电组件制造商贰陆公司(II-VI)公司,最近在中国上海举行了技术和研发中心的落成典礼。

    上海技术中心拥有近600名员工,是II-VI最大的技术和研发中心。该中心将利用其的人才资源(包括大量的高级科学家和工程师)从事技术和产品开发,光学组件和系统设计。创新旨在进一步释放云和5G网络的潜力,提出生命科学集成解决方案(包括生物技术、医学和科学应用领域),以及开发用于材料加工和增材制造的高功率激光器。

    首席执行官Vincent D. Mattera Jr博士说:“上海技术研发中心将成为II-VI全球创新计划里的一颗明珠,II-VI将继续影响的大市场趋势。”

    II-VI宣布将其碳化硅(SiC)生产基地扩展到中国以服务于全球最大的电动汽车(EV)市场,在此基础上进行技术研发中心的落成典礼。II-VI在中国的福州、广州、上海,深圳、苏州和无锡等城市拥有庞大的制造业务和产品开发业务,该公司22000名员工中有一半以上位于这些城市。

    II-VI已成为美中关系全国委员会(NCUSCR)和美中贸易理事会(USCBC)的成员。 NCUSCR是一个非政府、无党派的美国非营利性组织,它主要通过进行公共教育,旨在推动美国与大中华区之间的理解与合作,坚信稳健、有益的中美关系符合美国和世界的利益。USCBC的使命是扩大中美商业关系,使其成员国受益。II-VI最近还成为了世界经济论坛的成员,该论坛将把重点放在先进制造业和生产平台上(包括技术采用和劳动力开发),同时推动弹性供应链的形成。

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    • 编译者:冯瑞华
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    • 2018年10月29日上午,上海交大化学化工学院-山东金德新材料有限公司微反应器技术研发中心(以下简称“研发中心”)签约及揭牌仪式在山东金德新材料有限公司隆重举行。 出席仪式的上海交大化学化工学院张兆国教授表示,建立此“研发中心”主要有两个目的:一方面是加强了国内连续流合成技术的应用研究,提高了国内连续流工艺开发和研究水平;另一方面是实现精细化工连续化生产,替代目前落后的反应釜间歇生产工艺,提高自动化水平,达到绿色、安全、节能、高效的目的。 微反应器技术研发中心揭牌仪式 微化工技术 微化工技术是20世纪90年代初顺应可持续发展而兴起的新技术,尤其在制备农药、医药等化工中间体时,通过强化化工过程还可以实现绿色合成。微通道反应器包含众多的微型通道,流体能够以特定的物理状态在反应器中进行组合流动,反应过程连续可控,具有高效的传热、传质能力,因此成为了化工领域的重要发展方向之一。 其中,陶瓷微通道反应器是微通道反应器中的重要部分。早些年美国康宁公司已经推出相关产品并已用于国内的一些生产项目来替代通常所用的反应釜。但国内由于工业技术等原因,迟迟未有工业化应用产品。 该“研发中心”的成立,不仅推动碳化硅微反应器的快速工业化,而且对产品在更广泛领域应用起到了更好的平台作用,标志着我国在绿色化工生产工艺研究方面又向前迈出了一大步,有力地推动化工领域快速转型升级。 目前进展 山东金德新材料有限公司是目前国内一家从原料-生产加工-制造装配一条龙的碳化硅微反应器制造企业,具备就地研发、就地生产的制造优势,能够极大地缩短设备制造周期。2018年11月1日,应临沂市科技合作与应用研究院于跃博士和山东金德新材料有限公司的邀请,中国科学院大连化学物理研究所陈光文研究员,更是莅临山东金德新材料有限公司先后参观了金德的碳化硅陶瓷产品生产线及微通道反应器制造装配工序。 陈光文研究员正在参观碳化硅微反应器制造装配工序 陈光文研究员是我国较早研究微化学工程与技术的专家,在微反应器制造应用等方面具有很高的造诣,声望享誉国内外。参观过程中,陈光文研究员对金德材料自主研发的碳化硅微通道反应器的制造过程及技术创新方面都给予了高度赞扬,并希望山东金德新材料有限公司能够继续加大研发力度,结合化工生产工艺要求,不断创造新产品,满足服务于我国化工行业转型升级需求。
  • 《II-VI依靠GE的IP占领功率SiC市场》

    • 来源专题:集成电路
    • 编译者:Lightfeng
    • 发布时间:2020-07-12
    • 工程材料和光电组件制造商II-VI已获得通用电气(General Electric)的SiC技术许可,以期进入功率器件和模块制造。就像II-VI在SiC晶圆市场上的主要竞争对手一样,美国的Cree / Wolfspeed和日本的Rohm Group Company(包括SiCrystal)也一样,新的许可能通过电动汽车和混合电动汽车(EV / HEV)应用的快速发展,推动SiC基电力电子产品的市场需求。 Knowmade在其报告《2019年功率SiC专利态势》中分析,GE的专利活动在2000年代末开始,重点是SiC MOSFET的平面器件架构,GE是平面SiC MOSFET技术中最活跃的IP厂商,目前在全球拥有90多项已获授权的专利,其中包括该领域的许多关键专利。并且GE在SiC MOSFET专利领域的专利活动有所放缓,这表明GE的SiC MOSFET技术已经达到了很高的成熟度。 2013年,GE对汽车行业的技术进行了认证(AEC-Q101,200°C)。 2016年末,除了小批量生产外,该公司还在纽约电力电子制造联盟(NY-PEMC)工厂开始大批量生产SiC功率器件。2017年,在NY-PEMC框架内,GE宣布与丹佛斯建立制造合作伙伴关系,以在美国纽约州的尤蒂卡(Utica)生产SiC功率模块。 II-VI与GE的专利协议将进一步促进平面SiC MOSFET技术在系统电气化方面的采用,例如工业基础设施、大型数据中心和车辆(EV / HEV)。大多数以汽车为重点的专利申请人似乎都将重点放在用于汽车应用的沟槽式SiC MOSFET技术上,但平面SiC MOSFET供应商已经开始合作开发基于SiC的汽车应用,如,在2019年11月,Cree / Wolfspeed与汽车供应商ZF建立了战略合作伙伴关系,以增强基于SiC的逆变器的电力传动系统。