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《模板化锗量子点阵列的结构特性:生长和预模式参数的影响。》

  • 来源专题：纳米科技
  • 编译者： 郭文姣
  • 发布时间：2018-05-10

  • 在本研究中，我们分析了过程和生长参数对锗(Ge)量子点阵列结构特性的影响。这些阵列是由分子束外延在预先形成的硅衬底上沉积的。在生长前蚀刻到基体中，在120到20nm之间，以及从200 nm到40 nm的音高之间的周期性排列。基于SEM图像对二维QD阵列的结构完善进行了评价。研究了两个处理步骤对Ge QD阵列定向自组装的影响。首先，在预先形成的基体上生长的一个薄的Si缓冲层重塑了前模式的凹坑，并决定了QDs的成核和初始形状。随后，Ge的沉积参数定义了QDs的整体形状和均匀性。特别是生长温度和沉积速率是相关的，需要根据预模的设计进行优化。应用这一知识，我们能够制作出带有点密度的金字塔形QDs的规则阵列，达到7.2 1010 cm 2。

    ——文章发布于2018年5月8日

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