《GaN Systems和安森美半导体提出300W AC适配器参考设计方案》

  • 来源专题:集成电路
  • 编译者: Lightfeng
  • 发布时间:2020-01-05
  • 加拿大的一家无晶圆厂开发商GaN Systems 和美国的一家功率半导体IC供应商安森美半导体已宣布推出300W AC适配器方案,该产品使用GaN Systems的650V、15A GaN增强模式高电子迁移率晶体管(E-HEMT)以及多个安森美半导体控制器和驱动器IC,包括NCP51820,NCP13992,NCP1616和NCP4306。

    完整的系统参考设计据称具有高度的通用性和低成本,可使设计人员轻松开每立方英寸高达32W的功率密度的适配器,并将其推向市场,以用于HDTV电源,游戏笔记本和控制台适配器以及超用于工业和医疗设备的小型电源。该套件和应用笔记提供了详细的技术信息,包括原理图、PCB布局、BOM表、物体清单文件以及EMI和效率数据。该套件硬件具有完整的PFC,LLC和次级,并具有符合CoC T2基准的高效同步PFC,高度通用的低成本2层设计,并且在340W峰值具有19V输出的通用输入。

    安森美半导体市场总监Ryan表示:“GaN Systems与我们协作,优化了系统设计,并实现了高功率密度,消除了设计障碍,使设计人员能够利用GaN E-HEMT提供的众多优势。我们期待与GaN Systems继续合作,以支持并满足许多行业中出现的对新功率的要求。”

    GaN Systems全球业务发展高级总监Charles Bailley表示:“我们将安森美半导体的系统应用专业知识和行业领先的功率IC产品与世界上最先进的650V GaN E-HEMT结合在一起,开发的系统参考设计使设计变得更容易,更具成本效益。”

相关报告
  • 《安森美半导体订购Veeco MOCVD系统》

    • 来源专题:集成电路
    • 编译者:Lightfeng
    • 发布时间:2018-05-27
    • Veeco Instruments Inc.宣布,安森美半导体已经订购了其Propel大批量制造(HVM)氮化镓(GaN)金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统。 Propel GaN MOCVD系统专为数据中心中使用的高压电源管理设备而设计;如汽车,信息和通信技术;防御;航空航天和配电系统等应用。 安森美半导体企业研发和开放式创新高级总监Marnix Tack表示:“我们之前使用Veeco的K465i GaN MOCVD系统学习,促使我们调查了Propel HVM平台的产品线。 测试结果表明,器件性能出色,具有高均匀性,晶圆内和晶圆到晶圆的可重复性,同时满足我们对六英寸和八英寸晶圆的拥有成本目标。因此,Propel HVM系统被证明是我们电力电子制造需求的最合适的平台。”
  • 《安森美半导体推出适用于高要求应用的900V和1200V SiC MOSFET》

    • 来源专题:集成电路
    • 编译者:Lightfeng
    • 发布时间:2020-03-12
    • 最近,安森美半导体扩展了其宽禁带(WBG)设备的范围,推出了两个额外的碳化硅(SiC)MOSFET系列。此系列用于高要求的高增长应用,包括太阳能逆变器、电动汽车的车载充电、不间断电源(UPS)、服务器电源和EV充电站。 与硅相比,新型1200V和900V N沟道SiC MOSFET具有更快的开关性能和更高的可靠性。具有低反向恢复电荷的快速本征二极管可显着降低功率损耗,提高工作频率以及整体方案的功率密度。 小芯片尺寸进一步增强高频工作,达至更小的器件电容和更低的门极电荷-Qg(低至220 nC),从而降低了在高频下工作时的开关损耗。与基于Si的MOSFET相比,这些增强功能提高能效,降低电磁干扰(EMI),并可使用更少(或更小)的无源器件。与Si器件相比,极强固的SiC MOSFET具有更高的浪涌额定值、更好的雪崩能力和更高的抗短路性能,从而提供更高的可靠性和更长的使用寿命,这对高要求的现代电源应用至关重要。较低的正向电压提供无阈值的导通状态特性,减少器件导通时产生的静态损耗。 1200 V器件的额定电流高达103 A(最大ID),而900 V器件的额定电流高达118 A。对于需要更高电流的应用,安森美半导体的MOSFET可易于并联运行,因其正温系数/不受温度影响。 安森美半导体的所有SiC MOSFET都不含铅和卤化物,针对汽车应用的器件都符合AEC-Q100车规和生产件批准程序(PPAP)。所有器件都采用行业标准的TO-247或D2PAK封装。