在衬底型非晶Si的性能?窗口:多层p型微晶(μc-)Si对不透明基板H薄膜的薄膜太阳能电池的影响进行了研究。结果在P/I界面的H2等离子体诱导的损伤(HPID)和光吸收层的近界面区域得到很好的解释。微晶硅:H是使用在富含H2气氛等离子体增强化学气相沉积。用高H2稀释比例,会引起相当大的HPID得到高微晶体积分数。电池效率增强了多层p型微晶硅:与H构成的具有低和高结晶体积分数膜相比,细胞单层微晶硅:H。在该多层p型微晶硅:H,低结晶性薄膜被放置在一个i硅上:以减少HPID的H层。目前工作表明HPID在P/I界面和光吸收层的附近的界面区域减少,并且,所述p型μc-Si的质量:H必须是一个显著考虑到实现高效率。