在应用功率电子会议（APEC 2020）上，美国Transphorm 公司展示了五个以上市场的终端产品，这些产品利用了其GaN技术的优势，来提高的功率密度和功率效率以及降低总体系统成本等，这些产品与硅基产品比较具有相同或更好的热性能范围内。该公司主要设计并生产符合JEDEC和AEC-Q101标准的650V以及900V氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）。
终端产品制造商正在各种功率范围内使用Transphorm的GaN技术。Transphorm从他们的设计经验中收集的信息以及制造商的技术意见，进行技术创新开发了第四代GaN平台。APEC与会者可以首先了解Transphorm用于电力电子市场的新型GaN器件，以及用于简化GaN电力系统开发的新设计工具和资源。
Transphorm表示它对四个关键领域很关注：
可靠性：首批通过JEDEC和AEC认证的GaN功率FET，基于超过50亿的工作时间，每百万次缺陷零件（DPPM）的数量也少于四个。
可设计性：采用标准器件封装的GaN，使用公认的设计和热管理技术。
可驱动性：GaN FET需要最少的外部电路并像硅一样驱动。
可重复性：GaN制造工艺可提供类似硅的fab产量，并具有大批量可扩展性。
Transphorm的团队成员将在APEC的教育、行业和技术会议上介绍六个相关主题，从而解决四个关键领域。600V + GaN功率器件的完整技术验证，从器件结构、性能和可靠性，到应用经济学以及用户满意度和ppm现场故障率。
