7月18日，洛斯·阿拉莫斯国家试验室在《Nature Materials》上发表题为“Quadrupling the depairing current density in the iron-based superconductor SmFeAsO1–xHx”的论文，报道增加铁基超导体SmFeAsO1-xHx中的电流密度。
铁基1111型超导体具有较高的临界温度和相对较高的临界电流密度Jc，增加Jc的方法是引入缺陷来控制耗散涡流运动。然而，这种方法仅限于实现Jd约30%的最大Jc，这取决于相干长度和穿透深度。近日，洛斯·阿拉莫斯国家试验室Masashi Miura使用旨在增加Jd和引入涡流钉扎中心的热力学方法显著提高了SmFeAsO1-xHx薄膜中的Jc。
作者通过使用H替代的高电子掺杂来增加载流子密度，从而减小穿透深度、相干长度和临界场各向异性。此外，四倍增加的Jd达到了415MA cm-2，并且与铜酸盐相当。
最后，通过使用质子辐照引入缺陷，作者在高达25 T的场中获得了高Jc值。此外，作者将这种方法应用于其他铁基超导体，并实现了类似的电流密度增强。
