《100G无源网络突破性芯片》

• 来源专题：宽带移动通信
• 编译者： 张卓然
• 发布时间：2022-11-09
• 原文来源：https://www.eenewseurope.com/en/breakthrough-chip-for-100g-passive-networking/

比利时的研究人员开发了一种芯片，在世界上首次实现了用于高速宽带网络的下一代无源光网络（PON）。

来自根特大学和安特卫普大学imec课题组IDLab的团队，以及诺基亚贝尔实验室，展示了第一个上游线性突发模式跨阻抗放大器（TIA）芯片，可适应50 Gbit/s NRZ和100 Gbit/s PAM4调制。

该芯片使光线路终端（OLT）能够应对下一代无源光网络中上游数据包的变化信号强度和质量下降。跨阻抗放大器芯片将是100G无源光网络的关键，用于高速宽带到住宅和商业网络以及5G移动前程和回程链路。

本周在欧洲光通信会议（ECOC）上展示的跨阻抗放大器芯片采用0.13μm SiGe工艺制造。2.5 V电源的功耗为275 mW（平均值）。其总稳定时间远低于150ns，满足典型的无源光网络目标前导时间。