《美国明尼苏达大学双子城分校研究团队于《Advanced Materials》发表突破性成果：开发新型Ni?W合金材料实现高效磁化控制，显著降低数据写入能耗并支持无场磁状态切换》

• 编译者： AI智能小编
• 发布时间：2025-08-27

美国明尼苏达大学双子城分校的研究团队在《Advanced Materials》期刊上发表了一篇新研究，揭示了一种能够提高计算机存储速度和能效的新材料Ni?W（镍和钨的合金）。该研究还获得了技术专利。随着技术的发展，对低能耗高效存储材料的需求增加，研究人员希望找到替代或补充材料以提高日常技术的功能性。研究发现，Ni?W能产生强大的自旋轨道转矩（SOT），这是下一代存储和逻辑技术中操控磁性的关键机制。Ni?W可以显著降低写入数据时的能耗，减少如智能手机和数据中心的电力消耗，使未来电子产品更智能、更可持续。与常规材料不同，Ni?W无需外部磁场即可实现“无场”磁状态切换。此外，Ni?W由常见金属制成，通过标准工业流程生产，具有低成本和高可行性的优势。