《突破 | 武汉大学研究团队在单原子尺度多铁性研究上取得新进展》

  • 来源专题:光电情报网信息监测服务平台
  • 编译者: 胡思思
  • 发布时间:2025-03-12
  • 近日,武汉大学物理科学与技术学院张晨栋课题组、何军课题组联合中国人民大学研究人员组成团队,在单原子极限尺度下的多铁物态研究领域取得新进展。相关成果以“Evidences of Ferroelectricity in an Antiferromagnetic Vanadium

    Trichloride Monolayer”为题,发表于国际权威学术期刊《科学进展》(Science Advances)。

    武汉大学物理科学与技术学院为该论文的第一署名单位。张晨栋课题组2021级博士生邓京昊,中国人民大学郭的坪博士,以及武汉大学物理学院文耀副研究员、卢双赞博士为文章共同第一作者。

    在凝聚态物理领域,多模态极化序的共存与耦合是许多重要功能物性的基础。随着“原子制造”概念的兴起,单原子尺度下是否能实现多极化序的共存,成为未知且亟待回答的基础科学问题;而其进一步相互耦合的探索,也是开发新型功能器件的关键路径。近年来尽管领域内开展了大量理论和实验研究,但对于这一基础而重要的问题依然未有得到确切答案。

    合作团队通过新奇界面调控机制,在单原子层 VCl3中对这一关键科学问题取得了重要进展。他们基于超高真空外延、扫描隧道显微镜/谱、振动样品磁强计等技术,构建了单层VCl3与NbSe2的异质界面,证实了单层VCl3中可翻转的面内铁电性,及其和倾斜双条纹反铁磁基态的共存。研究进一步揭示,界面处 Cl-Se 相互作用具有指向性和均匀性,这是打破VCl3面内C3旋转对称性和面外反演对称性的关键机制,同时指出自旋序和电极化序之间通过晶格轨道序存在不可忽视的间接耦合。这一新奇的界面原子制造机制在VCl3 -石墨烯的对照实验和第一性原理计算中得到充分验证,凸显了范德华界面在晶格对称性和相关量子物态调控上的作用。这一成果不仅为单原子尺度多铁性材料的研究奠定了基础,也为通过界面工程调控极化开辟了新的途径,有望推动新型多功能器件的开发。

  • 原文来源:https://www.science.org/doi/10.1126/sciadv.ado6538
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  • 《突破 | 半导体所在氮化物位错演化机制及光电神经网络器件研究领域取得新进展》

    • 来源专题:光电情报网信息监测服务平台
    • 编译者:husisi
    • 发布时间:2024-07-24
    • III-族氮化物多采用蓝宝石衬底异质外延生长,由于大的晶格失配和热失配,导致高密度穿透位错(108-1010),极大地影响氮化物发光器件、电子电力器件性能。中国科学院半导体研究所刘志强研究员团队长期聚焦氮化物生长界面研究并形成系列研究成果,明确了原子尺度氮化物/蓝宝石生长界面构型,阐明了原子尺度界面应力释放机制。近期,半导体所刘志强研究员团队与北京大学高鹏教授,福州大学吴朝兴教授、郭太良教授,韩国汉阳大学Tae Whan Kim教授团队合作,在氮化物位错演化机制及光电神经网络器件研究领域取得新进展。 当前对于穿透位错的有效抑制手段有限且低效。为了进一步揭示氮化物生长界面的原子尺度位错演化过程,有效降低穿透性刃位错密度,半导体所刘志强研究员团队与北京大学高鹏教授团队开展合作,对GaN /Al2O3界面进行了平面高分辨透射电子显微镜(HRTEM)分析,同时观察到了摩尔图案(Moiré patterns)变形和失配位错的终止;并对摩尔图案变形区域进行原子级表征,基于原子结构以及伯格斯矢量分析,确定导致摩尔图案变形的缺陷类型为穿透刃位错,从而证明外延层中的穿透刃位错起源于界面处失配位错的融合反应(图1-2)。 基于此氮化物穿透位错演化机制的新理解,研究人员构建了滑移界面,降低了滑移势垒,引入了新的应力释放途径,从而揭示了氮化物生长界面位错原子级演化过程,提出了从源头上抑制位错生成的外延新思路,最终实现GaN外延层穿透刃位错密度降低近一个数量级。 基于高质量外延材料的氮化物光电器件是实现类脑神经网络的技术路线之一。半导体所刘志强研究员团队与福州大学吴朝兴教授,郭太良教授、韩国汉阳大学Tae Whan Kim教授团队合作,构建了基于高质量nano-LED的人工感知神经网络,模拟了人类神经系统中的多通路信号传递过程。 人脑神经元的应答是即时、高度并行、复杂输出的,构建仿生神经形态电子系统是类脑计算领域的重要研究课题。在交流脉冲驱动下,nano-LED生成具有记忆效应的电致光信号脉冲,利用光脉冲波形中的特征波峰对多个分布式传感器的电信号进行编码,并在人工感知神经网络中无串扰同步传输。构建的人工感知神经网络成功模拟了人脑的触觉感知,识别准确率达到98.88%。 图1 GaN/Al2O3界面STEM-HAADF刃位错直接观测图像及原子结构示意 图2 GaN/Al2O3界面穿透刃位错演化机制 图3 基于记忆电致发光的传入神经系统示意