在比利时的纳米电子研究中心上，Imec展示了III-V-on-Si和GaN-on-Si作为CMOS兼容技术的潜力，使射频前端模块能够应用于5G以外的应用。
为使射频前端模块应用于5G以外成为可能，Imec探索了与CMOS兼容的III-V-on-Si技术。Imec正在研究前端组件与其他基于CMOS的电路的集成，以降低成本和外形尺寸，并使新的混合电路拓扑能够解决性能和效率问题。Imec正在探索两条不同的路线：第一条是硅上的磷化铟（InP），针对毫米波和100GHz以上的频率。第二条是硅上的GaN基器件，针对较低的毫米波波段，并满足需要高功率密度的应用。对于这两种途径，Imec在已经获得了具有令人满意的性能特征的首个功能性设备。
已经证明在300mm硅上生长的功能性GaAs / InGaP HBT器件是实现基于InP的器件的第一步。通过使用Imec独特的III-V纳米脊工程（NRE）工艺，获得了位错密度低于3x106cm-2的无缺陷器件堆栈。据说该器件的性能大大优于参考器件，因为它在带有应变松弛缓冲层（SRB）的硅基板上制造了GaAs。
此外，通过比较三种不同的器件架构 HEMT、MOSFET、MISHEMT，制造了基于200mm硅的CMOS兼容GaN / AlGaN基器件。结果表明，MISHEMT设备在设备可扩展性和高频操作的噪声性能方面优于其他设备。对于300nm的栅极长度，获得了大约50/40的fT / fmax峰值截止频率，这与报道的SiC上GaN器件一致。除了进一步进行栅极长度定标外，以AlInN作为阻挡层材料还存在进一步性能改善的可能，从而将器件的工作频率提高到所需的毫米波波段。
