美国北卡罗来纳州立大学已在6英寸铸造工艺上实施了其4H多型碳化硅（SiC）反向沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）技术，可实现600V的高压额定值和15V栅极驱动器，15V的栅极驱动值使该技术与绝缘栅双极晶体管（IGBT）电路兼容。
该团队发现具有27nm栅极氧化物的SiC MOSFET的高频品质因数（HF-FOM）首次超过了商用600V P7 Si CoolMOS™产品。到目前为止，基于SiC的设备发现很难击败600V级硅产品的性能，从而阻碍了该技术的采用。
通过统计分析整个晶圆的性能变化，在600V漏极偏置下的泄漏电流在nA范围内。27nm氧化物MOSFET的比导通电阻仅是55nm版本的一半。所有27nm器件的击穿电压均远高于600V。
研究人员报告说：“对于27nm器件Ron,sp平均值和最佳值分别为3.77和3.28mΩ-cm2，小于先前针对线性单元拓扑的反转模式器件的论文报道。测得Ron,sp和Ileakage的标准偏差值表明，即使对于27nm栅极氧化物MOSFET，PRESiCE™非自对准铸造工艺也是可靠的。”
相对于各种寄生电容和相关的电荷存储，更薄的氧化物也使许多FOM受益。导通电阻和反向传输电容（RonxCrss）的乘积HF-FOM在27nm氧化物中要低1.7倍。MOSFET与55nm版本相比，Ron和栅漏电荷（Qgd）的乘积比另一个HF-FOM低1.6倍。输入电容与反向传输电容之比（Ciss / Crss）提高了1.5倍，27nm为185，栅极氧化为55nm，为120。
该团队评论说：“与Si P7 CooLMOS™产品相比，27nm栅极氧化物器件的平均和最佳 FOM [RonxQgd]分别高出1.24倍和1.43倍，而其 Ron,sp 则小2.5倍。这首次证明，与Si CooLMOS™产品相比，600V SiC功率MOSFET可以制造出性能更高的产品，从而为SiC技术开辟了新的市场机会。”
