分立和MOSFET组件以及模拟和逻辑IC生产商Nexperia BV（宣布推出一系列反向电压为120V、150V和200V的新型硅锗（SiGe）整流器，这些整流器结合了肖特基整流器的高效率与快速恢复二极管的热稳定性。
新型1-3A SiGe器件主要面向汽车，通信基础设施和服务器市场，特别适用于高温应用，例如，LED照明、发动机控制单元或燃油喷射。这些新推出的极低泄漏器件提供扩展的安全工作区域，在175度以下不会出现的热失控。同时，设计师可以优化其设计以获得更高的效率，在这种高温设计中使用快速恢复二极管通常是不可行的。通过增大低正向电压（Vf）和低Qrr，SiGe整流器的传导损耗降低10-20%。
PMEG SiGe器件（PMEGxGxELR / P）使用高效的CFP3和CFP5封装，这些封装已成为功率二极管的行业标准。使用坚固的铜夹，可以降低封装的热阻，并优化热量向周围环境的传递，从而实现小巧紧凑的PCB设计。此外，使用SiGe技术，能够轻松实现肖特基和快速恢复二极管的引脚到引脚替换。
产品经理Jan Fischer表示：“利用Nexperia的创新硅锗技术，工程师可以选择设计电源电路，并最终制造出市场领先的产品。SiGe是Nexperia功率二极管产品的完美补充，该产品采用夹式FlatPower（CFP）封装，包括100多个肖特基和快速恢复整流器。”
前四款符合AEC-Q101标准的120V SiGe整流器已经投入批量生产，现在又有8个150V和200V器件正在采样。
