《新型半导体激光器研究获进展》

  • 来源专题:光电情报网信息监测服务平台
  • 编译者: husisi
  • 发布时间:2020-09-14
  • 近期,中国科学院长春应用化学研究所秦川江课题组、日本九州大学安达千波矢研究室合作,开发出一种基于新型低成本半导体材料钙钛矿的激光器,突破了其以往仅能在低温下连续稳定工作的瓶颈,实现室温可连续激光输出的钙钛矿激光器。
    激光器是将输入的光或电能量转换成光的器件,由于发光高度均匀,被广泛应用于工业、医疗、信息、科研等领域。钙钛矿半导体材料具有可低成本溶液加工、发光波长可调、发射光谱稳定等优点,作为工作物质在激光方面具有广阔应用前景。然而,室温下连续激发工作数分钟后钙钛矿激光将会消失,且原因未明,限制了进一步发展。
    在有机半导体器件中,正负电荷结合后,可先形成激子再释放能量,其激子行为与特性已得到广泛深入研究。激子通常分为单重态激子和三重态激子,其中,三重态激子直接发光效率低。已有研究证实,阻碍有机半导体连续激光的因素主要是其固有的三重态激子特性。但关于准二维钙钛矿激光器,人们还没有认识到三重态激子在其中的影响。
    准二维钙钛矿是一类将相同重复单元的无机骨架夹在有机层之间的材料。近期,科研人员发现这种材料中的三重态激子寿命可长达1微秒,进而猜测其可能是导致激光消失的原因;三重态激子虽然不发光,但能与发光的单重态激子相互作用,导致它们均以不发光的形式失去能量。因此,如果钙钛矿中存在长寿命三重态激子,可能需要将其除去,以免干扰激光。
    基于以上考虑,该研究在准二维钙钛矿中引入具有较低三重态能级的有机层,使钙钛矿中产生的长寿命激子可自发转移至有机层,从而减少单重态激子能量损失,实现光激发下连续的激光产生。将钙钛矿激光器置于空气中,使三重态激子被氧气淬灭,也可实现连续激光,进一步证明三重态激子是造成激光消失的原因之一。此外,激光器在相对湿度为55%的空气中连续工作1小时后,激光强度基本没有变化,发射光谱也没有移动。
    该研究证实了三重态激子在钙钛矿激光工作过程中的关键作用,以及调控三重态激子对实现连续激光的重要性,有助于开发低成本、可溶液加工和超小型化的电致钙钛矿激光器件,应用于光通信、光信息处理、光存储以及通过大规模集成电路平面工艺组成的光电子系统。
    相关成果发表在《自然》上,研究员秦川江是论文的第一作者、第一通讯联系人,长春应化所为第一完成单位。研究得到中国科学院、长春应化所的支持。

    溶液旋涂制备低成本钙钛矿半导体激光器过程及工作示意图

    工作条件下的室温连续激发准二维钙钛矿激光器(蓝色为光泵浦源488nm固体激光器光路,绿色为钙钛矿激光器及激光)

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    • 编译者:husisi
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    • 2021年12月24日,西安炬光科技登陆上交所科创板上市。到下午收盘,炬光科技报192.90元,上涨145.14%,总市值173.53亿元。这是A股光学元器件的又一资本动作。   当月9日,武汉仟目激光有限公司发生工商变更,新增OPPO关联公司巡星投资有限公司为股东。OPPO正在投资半导体,并且在12月推出了马里亚纳芯片。而本次OPPO投资元器件激光器相关产业,也是看到了这一行业的发展潜力。 市场不相信眼泪 半导体激光器又叫“半导体激光二极管”,是以一定的半导体材料做工作物质而产生激光的器件。 1962年世界上第一台半导体激光器发明问世,其不断的发展进步极大地推动了其他科学技术的发展,半导体激光器被认为是二十世纪人类最伟大的发明之一。现在,半导体激光器已成为世界上发展最快的一门激光技术。半导体激光器体积小、结构简单、价格较低廉,它目前在光电子领域中应用非常广泛,并已经受到世界各国的高度重视。 半导体激光器的应用范围覆盖了整个光电子学领域,已成为当今光电子科学的核心技术。它可以用于激光引信、激光雷达、光线通信、激光治疗等。根据《2020中国激光产业发展报告》,2019年度全球激光器主要最终应用于激光材料加工和光刻市场、通信和光存储市场、科研和军事市场、医疗和美容市场、仪器与传感器市场、显示与打印市场等。 如今,这一行业的主要技术突破方向是功率,如何实现大功率的半导体激光器一直以来都是研究的前沿和热点。实现大功率的半导体激光则需要大功率发射半导体激光芯片和大功率半导体激光合束技术来共同实现。   应用上的突破则是向消费领域下沉,这给行业了带来新的思路变化,苹果是启发者。2017年iPhone X开始使用结构光作为FaceID技术,2018年的iPhone使用了光子公司Lumentum 公司的垂直腔面发射激光器(VCSEL)作为传感光源。Lumentum是半导体激光器的重要厂商,但与II-VI等还有较大差距。 2021年第一季度II-VI财报发布之后,一些华尔街分析师猜测,II-VI又一次夺走了Lumentum的市场份额。近年来,两家光子学公司都在3D传感VCSEL产品上进行了大量投资,不过最初在iPhone手机中进行的初始应用,现在已遍及安卓手机平台以及智能手机之外的应用领域。 从现在的半导体激光器来看,产业结构主要包括材料、芯片、器件、模块、系统等应用节点,上游的材料和芯片产业还是中下游的器件、模块、系统产业都是技术和资金密集型产业,需要长久的技术沉淀和巨额的资金投入。 美国公司是半导体激光器的主要玩家,也是半导体工厂的主要激光器供应商。此前Lumentum 与Oclaro公司合并, II-VI与Finisar公司重组,头部公司强强联合,这对产业内其他中小型企业的生存现状产生严重影响。合并后,II-VI成为半导体激光器整体市场的第一,而Lumentum则是第二名。但是,两者仍然没有占据一半的份额,也就是说,这一市场竞争极其激烈。 中国的半导体激光器市场 2015年,中国取代欧洲成为半导体激光器最大的消费市场。 2013年以来,我国光纤激光器市场规模逐年增长,光纤激光器成为工业激光器最大产品结构,作为光纤激光器泵浦的半导体激光器市场规模快速扩大,2015年、2016年、2017年是我国半导体激光飞速发展的3年,2017年以后,由于部分光纤激光器龙头厂商开始大批量单独生产LD器件和LD芯片,减少了对半导体激光器泵浦采购。同时近年来,国内经济发展承压,国际贸易形式严峻摩擦不断,半导体激光器市场增速面临较大压力,到2019年,我国半导体激光器市场规模为19.79亿元,同比仅增长10.6%。 2018年全球激光行业产品总收入达到137.54亿美元。一方面随着国内企业突破激光器核心技术,国内激光设备的容量呈现爆发式增长。中国半导体激光器销售规模于2014年至2018年实现近5倍的增长,年复合增长率超过38%。受益于半导体原材料平均成本下降、中国半导体材料厂商资源整合能力提升、激光器封装成本降低等因素,中国半导体激光器企业在运动的市场格局中逐渐崭露头角。 此前,国际上从事半导体激光器的企业有美国企业、德国TRUMPF、DILAS等。由于国外半导体激光器研发起步早,技术积累更深厚也形成了较为稳固的产业链,因此外国公司在这一行业占据了非常大的市场份额。 芯片领域,半导体激光器也形成了Foundry、IDM、Fabless的模式,其主要区分标准与芯片类似。长光华芯便是其中的IDM代表,9月,苏州长光华芯已经通过上市委会议,成功进入到提交注册阶段。从资本市场来看,2021年下半年成为这一行业的上市小高峰。 根据招股书,长光华芯本次发行募集资金重点投向 “高功率激光芯片、器件、模块产能扩充项目”、“垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)及光通信激光芯片产业化项目”及“研发中心建设项目”。2020年,长光华芯新增高效率VCSEL系列产品,在这一技术领域落下重子,誓要加入队伍前列。 而说到VCSEL,就不得不提到纵慧芯光。在2019年全球ToF传感器市场中,纵慧芯光的VCSEL占比达到32.6%,仅次于市占率37%的Osram,排名全球第二。 纵慧芯光主要研发生产制程在650nm至1000nm的VCSEL芯片、器件及模组等产品。从华为P30和华为Mate 30 Pro开始,纵慧芯光进入VCSEL供应商名单。2020年,纵慧芯光获得了华为旗下哈勃科技的新一轮投资。2021年9月7日,纵慧芯光完成了两亿元C3轮融资,由武岳峰领投,比亚迪等跟投。其表示本轮融资将用于推进产品技术的升级完善和汽车电子领域的布局。 而这次融资同样显示了半导体激光器也将从消费电子走向汽车行业,进入新的发展天地。 目前来说,国内公司在半导体激光器的市场上发展极其迅速,在许多领域已经有了话语权,但多是各自奋斗还没有形成产业的联盟,并且在高精尖技术上仍然受到国外传统公司的压制,同样需要奋发上进。
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    • 来源专题:光电情报网信息监测服务平台
    • 编译者:husisi
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    • 窄线宽激光具备极高的频谱密度、极低的相对强度噪声和相位噪声以及超长的相干长度,在冷原子干涉测量、光学原子钟、相干激光通信、相干激光雷达、高精度光纤传感和精密光谱等诸多前沿科学研究领域发挥着十分重要的作用。根据频率选择结构分布在有源腔内外的不同,一般将窄线宽半导体激光器分为内腔反馈型和外腔反馈型激光器。当前,外腔窄线宽半导体激光器商业化应用具备举足轻重的地位。 近期,华中光电技术研究所—武汉光电国家研究中心的研究团队以“外腔窄线宽半导体激光器研究进展”为主题进行了综述研究,重点介绍了当前具备代表性的四类外腔型窄线宽半导体激光器的基本结构、关键技术、性能特点以及国际发展现状。相关研究内容发表在《光学与光电技术》期刊。 闪耀光栅型 采用闪耀光栅(Blazed Grating)作为选频光学反馈器件,很早就已被应用在基于Littrow和Littman结构的外腔激光器中,目前已经成为经典外腔半导体激光器之一。其谐振腔通常由半导体激光增益芯片(Gain Chip)、光学准直透镜或反射镜和闪耀光栅等光学元件组成。2020年,澳大利亚引力波天体物理中心D. P. Kapasi等人报道了一种基于增益芯片与衍射光栅组成的Littrow型结构的闪耀光栅外腔窄线宽激光器。中心波长为2 μm,最大输出功率9.3 mW,激光线宽20 kHz@10 ms,通过压电换能器进行调谐,最终实现了120 nm的调谐范围。该类外腔激光器的结构和性能特点比较适合实验室应用场景,能够胜任工作环境友好但对波长调谐范围和光谱分辨率要求较高的领域,如光谱检测、非线性光学测试系统、光学原子钟、里德堡原子测量系统等领域。 澳大利亚引力波天体物理中心外腔半导体激光器 体全息光栅型 体全息光栅(Volume Holographic Gratings,VHG)是一种在熔融硅酸盐玻璃中利用紫外全息曝光制作的衍射光栅器件,分为反射式和透射式两种,也可用来实现Littrow和Littman结构的外腔型窄线宽半导体激光器。相对来说,体光栅比闪耀光栅尺寸更小,工作波段可扩展至350~2500 nm,具有高光学损伤阈值以及机械和热稳定性,高温下表现出优异的稳定性,选频温漂系数小,可用来制作微型化高可靠的激光器。2020年,费迪南布劳恩研究所为JOKARUS任务研制了一款微集成窄线宽激光器,该器件采用主振荡光放大(Master Oscillator Power Amplifier,MOPA)技术体制,以ECDL作为种子源级联锥形光放大,在保持较窄激光线宽的同时大幅提升了输出功率。该激光系统中心波长为1064.490 nm,光功率为570 mW,线宽为13 kHz(1 ms),总功耗3.75 W,用于太空探测火箭上工作的碘频基准。 JOKARUS微集成ECDL-MOPA激光器件 在该领域,华中光电技术研究所也研制了14 pin蝶形金属封装体光栅扩展外腔微集成窄线宽半导体激光器。测试激光线宽小于70 kHz,无跳模调谐范围10 GHz,功率大于180 mW,边模抑制比大于60 dB,器件体积30 mm × 12.7 mm × 7.6 mm,该器件具有优异的波长和功率稳定性,且体积小、功耗低、环境适应性优良,其多项指标优于德国Sacher公司窄线宽半导体激光器产品。 华中光电技术研究所微集成窄线宽激光器 光学腔型 晶体光学腔具有较高的品质因子、较小的模式体积和性能稳定等优势,可用作光滤波器,能够实现激光器的锁定和激光线宽的压窄。光学微腔通常分为法布里-珀罗腔、回音壁模式(Whispering-Gallery Mode,WGM)微腔和光子晶体腔。2018年俄罗斯量子研发中心M.L.Gorodetsky等人报道了一种基于MgF2微腔和大功率F-P腔激光器的注入锁定窄线宽激光器以及孤子克尔光梳的产生。将功率为200 mW的F-P腔激光器的出射光注入到水平直5.5 mm,垂直直径500 μm的微腔中,在注入锁定状态得到了370 Hz的窄线宽输出,当进一步调谐激光器的电流进入红失谐状态时,产生了重复频率为12.5 GHz的孤子光频梳。 基于MgF2微腔和大功率F-P腔激光器的注入锁定窄线宽激光器以及孤子克尔光梳的产生系统 平面波导型 平面波导(Planar Light Waveguide Chip,PLC)是光子集成技术的重要应用,为外腔反馈半导体激光器中窄带滤波和光学反馈器件提供了更加多样化和灵活的选择。2021年,加利福尼亚大学圣巴巴拉分校的W.Jin等人报道了超窄线宽混合集成窄线宽激光器,有源部分为DFB激光器,无源滤波部分为品质因子为2.6×10?的Si3N4微环,采用低限制氮化硅波导结构光传输损耗降至0.1 dB/m,最终实现了3 Hz线宽输出。 外腔结构示意图以及其注入锁定原理 目前,半导体激光器正朝向高功率、窄线宽的方向快速发展,尤其是基于体光栅的外腔半导体激光器可实现100 kHz以下线宽,以及较高的光功率,具备优异的环境适应性,该体制的性能及可靠性也已经在太空探测任务中得到验证;同时腔型结构简单,通过全自动耦合系统可以实现商业化的应用,成本较低,但是线宽难以进一步下降。基于回音壁光学腔窄线宽激光器可实现低于100 Hz的超窄线宽激光,但是需要DFB芯片与透镜、棱镜和回音壁光腔进行光耦合,耦合集成难度极高,批量生产困难,且高品质因子回音壁腔研磨加工工艺要求高,短期内难以摊薄成本。基于混合集成方案的波导光栅器件的制备与传统的微纳工艺兼容,适合以低成本进行大规模商业化制备,这种方案可以与增益芯片耦合集成即可实现高稳定性的单纵模注入锁定效果,线宽与噪声性能也十分优异并且有着很高的集成度,是现阶段商业化制备窄线宽激光器的最佳方案之一。 随着光子集成技术的发展,异质集成对冲击与振动具有较高鲁棒性,对实现低噪声、窄线宽、高紧凑度的半导体激光器有着巨大的吸引力,未来基于晶圆键合的硅基异质集成Ⅲ-Ⅴ族窄线宽半导体激光器必将成为最具发展潜力的方案。