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《清华大学在EUV光刻材料上取得重要进展》

  • 来源专题：光电信息技术
  • 编译者： 王靖娴
  • 发布时间：2025-07-28

  • 【内容概述】据光行天下7月28日报道，清华大学化学系许华平教授团队在极紫外（EUV）光刻材料上取得重要进展，开发出一种基于聚碲氧烷（Polytelluoxane, PTeO）的新型光刻胶，为先进半导体制造中的关键材料提供了新的设计策略。相关成果以“聚碲氧烷作为EUV光刻胶的理想配方”（Polytelluoxane as the ideal formulation for EUV photoresist）为题，于7月16日发表于《科学进展》（Science Advances）期刊。

          许华平教授课题组基于团队早期发明的聚碲氧烷开发出一种全新的EUV光刻胶，满足了上述理想光刻胶的条件。在该项研究中，团队将高EUV吸收元素碲（Te）通过Te─O键直接引入高分子骨架中。碲具有除惰性气体元素氙（Xe）、氡（Rn）和放射性元素砹（At）之外最高的EUV吸收截面，EUV吸收能力远高于传统光刻胶中的短周期元素和Zn、Zr、Hf和Sn等金属元素，显著提升了光刻胶的EUV吸收效率。同时，Te─O键较低的解离能使其在吸收EUV后可直接发生主链断裂，诱导溶解度变化，从而实现高灵敏度的正性显影。这一光刻胶仅由单组份小分子聚合而成，在极简的设计下实现了理想光刻胶特性的整合，为构建下一代EUV光刻胶提供了清晰而可行的路径。

    （论文原文见附件）

  • 原文来源：http://mp.weixin.qq.com/s?__biz=MjM5MjIxNzI4Mg==&mid=2654050489&idx=1&sn=b9816f8b2702f23b512756ace7270bd1&scene=0#wechat_redirect
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