美国外延沉积和工艺设备制造商Veeco Instruments Inc表示，其Propel 300 HVM金属有机化学气相沉积（MOCVD）系统已被Transphorm 公司选中，用于生产经JEDEC和AEC-Q101认证的高压（HV）氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET），以及批量生产用于高压（HV）功率转换、RF应用的GaN功率器件（国防和商业部/ 5G）和电力电子外延片。
该系统根据美国国防部海军研究办公室（ONR）的TAM / MINSEC计划购买，以建立美国专用高性能RF和毫米波电子产品的GaN外延的生产来源。选择该系统的原因是在于其具有最先进的工艺并且能够实现高产量交付，与其他MOCVD系统相比，该系统能够以高通量和最低的每片晶圆成本提供最先进的工艺。
Transphorm首席技术官兼创始人Umesh Mishra博士评论说：“要在提供效率和高功率密度的GaN基功率和5G器件方面走在最前沿，就需要具有世界一流水平的制造解决方案，这些解决方案必须能够扩大规模生产，同时又具有不断创新的灵活性。Veeco的Propel HVM系统可以做到这一点。多反应器单晶片技术以较低的拥有成本提供了灵活性和出众的吞吐量。”
Propel系统可用于要求苛刻的GaN器件，这些器件对下一代通信基础设施和高效功率设备至关重要。Propel系统的单晶片反应器平台能够以小批量方式处理6英寸和8英寸晶片或2到4英寸晶片。并且具有更快的配方功能，与使用传统批处理工具时相比，它的速度提高了多达50％，从而加快了生产量。除了Veeco专有的TurboDisc技术之外，该系统还包括公司的IsoFlange和SymmHeat技术，它们在整个晶片上提供均匀的层流和均匀的温度分布，以实现最佳的均匀性和可重复性。
Veeco首席技术官Ajit Paranjpe博士说：“Transphorm决定采用我们大容量MOCVD技术证明了该系统相对于批处理技术的均匀性，吞吐量，可重复性和拥有成本优势。我们感谢Transphorm的Lee McCarthy博士、Umesh Mishra博士和Primit Parikh博士在技术评估中的所做的贡献。”
