据半导体行业观察微信公众号报道，全球先进半导体技术领导者三星电子有限公司近期在美国总部举行的年度盛会三星代工论坛 (SFF) 上，展示了其最新的代工创新技术，并概述了其对人工智能时代的愿景。
在“赋能人工智能革命”的主题下，三星宣布了其强化工艺技术路线图，包括两个新的尖端节点——SF2Z 和 SF4U，以及利用其代工、内存和高级封装（AVP）业务独特优势的集成三星人工智能解决方案平台。
三星电子总裁兼代工业务负责人崔时永博士表示：“在众多技术围绕人工智能不断发展的时代，实现人工智能的关键在于高性能、低功耗的半导体。除了针对人工智能芯片优化的成熟 GAA 工艺外，我们还计划推出集成式共封装光学 (CPO) 技术，以实现高速、低功耗的数据处理，为我们的客户提供在这个变革时代蓬勃发展所需的一站式人工智能解决方案。”
该公司最新的 2nm 工艺 SF2Z 采用了优化的背面供电网络 (BSPDN) 技术，该技术将电源轨置于晶圆背面，以消除电源线和信号线之间的瓶颈。与第一代 2nm 节点 SF2 相比，将 BSPDN 技术应用于 SF2Z 不仅可以提高功率、性能和面积 (PPA)，还可以显著降低电压降 (IR 降)，从而提高 HPC 设计的性能。SF2Z 预计将于 2027 年实现量产。
另一方面，SF4U 是一种高价值的 4nm 变体，通过结合光学缩小来提供 PPA 改进，计划于 2025 年实现量产。
三星重申，SF1.4（1.4纳米）的准备工作进展顺利，性能和良率目标有望在2027年实现量产。三星强调其对超越摩尔定律的持续承诺，正通过材料和结构创新，积极塑造1.4纳米以下的未来工艺技术。
此外，三星公司持续提升 GAA 成熟度。随着人工智能时代的到来，诸如环栅 (GAA) 之类的结构性改进已成为满足功率和性能需求的必要条件。在 SFF 上，三星强调了其 GAA 技术的成熟度，这是赋能人工智能的关键技术推动因素。进入量产第三年，三星的 GAA 工艺在良率和性能方面不断展现出持续的成熟度。凭借积累的 GAA 生产经验，三星计划在今年下半年量产其第二代 3nm 工艺 (SF3)，并在即将推出的 2nm 工艺上实现 GAA。自 2022 年以来，三星的 GAA 产量一直稳步增长，并有望在未来几年大幅扩张。
原文链接：
1. https://www.businesswire.com/news/home/20240612070282/en/Samsung-Showcases-AI-Era-Vision-and-Latest-Foundry-Technologies-at-SFF-2024
2. https://semiconductor.samsung.com/events/foundry-events/
