《氧化铜纳米线阵列由氧化石墨烯层涂层改善场发射特性的研究》

• 来源专题：纳米科技
• 编译者： chenfang
• 发布时间：2015-12-31

本文所进行的研究是国家自然科学基金资助项目的一部分，石墨烯氧化物（GO）包覆的氧化铜（CuO）纳米线阵列使用溶液处理被制备成场发射阴极，其中通过低温水热处理CuO纳米线生长在铜基上，并用静电自组装方法进行了片材的覆盖。对GO/CuO 阴极场发射研究表明低的开启电场为3.7V/μ米，相比那些裸露的氧化铜纳米线高增强因子（2080）。此外，发射电流是稳定的，在测试过程中没有任何衰减。在GO/CuO 复合纳米结构在场发射的应用中是很有前途的场发射阴极。