《后摩尔时代,芯片工艺的发展依然精彩》

  • 来源专题:后摩尔
  • 编译者: shenxiang
  • 发布时间:2018-07-27
  • 摩尔定律自1965年提出以后做了多次修订,最后定义为:集成电路芯片上所集成的电路数目每隔18个月就翻一倍。这是一个技术发展与经济学发展想结合的规律。张兴教授对摩尔定律提出的50年划分成了三个阶段:第一阶段是前摩尔时代(1965年到1975年),其特点是以增加容量为驱动力,即在集成电路元器件上增加元器件的数量,扩大芯片的集成度主要是扩大芯片的面积,标志性事件是1975年英特尔公司准备生产的电荷耦合内存芯片上包含了32K个元器件,与摩尔定律预测的64K大致吻合;第二个阶段是摩尔时代(1975年到2011年),这个阶段主要特点是扩容和缩减器件尺寸并行,通过缩小器件的尺寸,增加芯片的面积,优化器件的结构,来实现集成度的提高,以前需要花一栋房子的价钱才能买到的1MB存储器,如今16G U盘才需要几十块钱,也正是微电子技术的发展促使嵌入式技术得到了日新月异地进步;第三个阶段是后摩尔时代,除了增加芯片的面积,缩小器件尺寸之外,标志性的特点是传统的平面结构和传统的材料不能满足要求,所以要引入新的器件结构、新的材料体系。2003年应变硅技术的引入使得微电子技术进入60nm和90nm时代,2007年微电子技术从45nm发展到32nm,2011年Intel对三栅技术的引入使得栅结构从平面变成立体结构,微电子技术跨入22nm,微电机技术进入后摩尔时代。

    后摩尔时代最大的问题是速度与功耗不可兼得的矛盾,这一矛盾虽然伴随着微电子技术发展的全过程,但是到了后摩尔时代尤其突出。英特尔工程师认为,“随着技术的发展如果不采取任何低功耗的设计的话,功耗会呈指数增长。”怎样降低功耗?降低电源电压就可以了吗?no,因为这样速度也会随之降低,无法满足高速的要求。于是工程师想到了降低阈值电压,但是阈值电压降低以后导致关断的效果不明显,从而使静态功耗变高。因此后摩尔时代从尺寸驱动过度到功耗驱动。

    张兴教授预测微电子技术的发展新趋势是:一是更小,元器件会继续按比例缩小;二是更多样化,集成电路将发展成系统芯片(SOC),与其它技术结合,如MEMS,DNA等;三是更新,更机理化,发明更多新的、可大规模集成的基础器件,如纳电子,分子电子等。

  • 原文来源:http://www.eefocus.com/embedded/355776
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    • 随着“摩尔定律”失效,硅芯片逼近物理和经历成本上限,美国国防先期研究计划局(DARPA)试图通过一项价值2亿美元的“电子复兴”计划来振兴美国电子行业。该“电子复兴”计划于2017年7月宣布启动,旨在开放各种前沿发展方向,推动芯片向超越摩尔定律方向发展。其中包括充分利用美国国内芯片产业部门,拓展包括图形处理器(GPU)在内的芯片架构。作为机器学习工具基础,新的可扩展物理架构的GPU架构将更适应GPU所支撑的软件的需求。 DARPA微系统技术办公室的努力 DARPA微系统技术办公室(DARPA MTO)监管的芯片计划将为后摩尔时代奠定基础,该机构的研究重点将包括三点:“在单个芯片上整合不同半导体材料”、“粘性逻辑”器件结合过程和存储功能、微系统组件的纵向而非平面集成。随着芯片技术重点发展受到数据应用的驱动,DARPA表示将投入更多的力量来利用半导体创新,这将导致后摩尔定律的微电子系统有利于军用和商业用户。 DARPA微系统技术部主任William Chappell强调:“我们需要摆脱传统,接受新举措所涉及的各种创新。该计划将通过电路专用化来取得进展,并[将]扭转下一阶段进展的复杂性,这将对商业和国防利益产生广泛的影响。” 此外,国防部还将与硅谷一起,利用硅谷的创新持续突破后摩尔时代的技术发展。 联合大学微电子计划 MTO的芯片研究工作将补充最近由DARPA和美国半导体研究联盟(SRC)联合资助的基础电子研究工作——联合大学微电子计划(JUMP),为期五年。JUMP项目成员包括多个芯片制造商,分别为美国IBM、英特尔、美光科技和中国台湾台积电(TSMC)。SRC成员和DARPA预计将为JUMP项目投资超过1.5亿美元。重点领域包括高频传感器网络、分布式和认知计算以及智能存储器和存储。 “软件定义世界”思路 随着DARPA继续投资器件技术,还在试图利用“软件定义世界”这一概念。DARPA认为,虚拟化和其他软件技术使解决高昂武器成本的一种方式。因此,DARPA还在诸如动态频率共享等应用的算法开发和电路设计等领域投入更多的研究经费,这一能力将使军方能够从拥挤的电磁频谱中挤出更多的空间。
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    • 根据摩尔定律,集成电路上可容纳的元器件数量每隔18个月就会增加一倍,性能也由此提升一倍。不过在昨天举行的2019浦江创新论坛“新一代集成电路技术”分论坛上,演讲嘉宾却提前给摩尔定律“判了死刑”——摩尔定律已逼近其极限,性能、功耗、成本三大要素中的任何一项,都有可能成为它的终结者。 专家认为,后摩尔时代,集成电路从业者不应一味关注芯片尺寸,而应注重多样性,材料、器件、工艺等都可能导致信息产业的范式变革,这对中国集成电路产业来说,机遇与挑战并存。 别再纠结芯片大小,新技术将带来新气象 28纳米、14纳米、7纳米……去年是集成电路发明60周年,60年来,集成电路以惊人的速度在缩小,现在1平方厘米硅片上可以集成超过50亿个晶体管。但同时,“变小”的费用令人咋舌,中国工程院院士许居衍不禁发问,光刻成本已占到芯片制造成本的50%以上,根据具体设计不同甚至可高达70%,再缩小,成本吃得消吗? 集成电路历经60年发展,至今未突破“硅-冯诺依曼”范式。所谓“硅-冯诺依曼”范式,就是用硅的二进制编码表征事物的特征及其演变过程与结果,其中硅是集成电路的主要材料,冯诺依曼结构是集成电路的计算方式。 中国科学院院士、中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室主任刘明认为,性能、功耗、成本三个要素中总有一个会率先发展到极限,从而目睹摩尔定律走到尽头。 许居衍说,如果不再纠结于芯片大小,有许多技术可为集成电路产业带来不一样的新气象,大数据、物联网、深度学习、机器与自动化等技术都可能改变集成电路产业现有的发展范式。 在刘明看来,异形结构和新型计算会成为后摩尔时代集成电路发展的驱动力。事实上,这正是打破“硅-冯诺依曼”范式的两条路径。她说,未来全球集成电路产业同用一种技术路线的状态将会被打破,而将是一种多元化技术路线共存的状态,在此基础上,不同技术路线交叉融合,进而衍生出更加多元化的技术路径。 拐点已现,中国集成电路产业未来可期 许居衍说,硅微电子发展在2016年已出现拐点,拐点的出现意味着产业进入成熟期,研发收益迅速下降,有必要考虑转向下一代技术。他预计在2040年以前就会找到硅晶体管的替代品,事实上,量子芯片、DNA芯片等已开始崭露头角。 中国集成电路产业会因此迎来“弯道超车”吗?刘明认为,新器件及三维集成技术将对集成电路的创新和产业格局产生颠覆性影响,这将成为我国自主创新的重要机遇。不过她同时强调,器件持续微缩的摩尔定律路线是集成电路创新的基础,必须夯实。以新材料为例,一项新技术如果不能和现有的集成电路硅平台很好地兼容,就不会有较大发展。 “集成电路从来不是单一追求缩小尺寸,而是要和更多产业融合。”她强调,市场是集成电路发展的驱动力,即便进入后摩尔时代,这一属性依然不会改变。今年一季度,华为在全球智能手机饱和的情况下销量大涨50%,彰显了这一优势。据统计,全球超过2/3的手机、平板电脑等终端产品在中国制造,世界排名前20的集成电路企业有1/3来自中国。 庞大的市场,加上自主创新的实力,让与会嘉宾对“中国芯”的未来信心满满。据最新预测,2018至2023年,中国集成电路市场年均复合增长率将达8%,而中国集成电路产业的年均复合增长率将达15%。