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《弘芯半导体ASML高端光刻机进场》

  • 来源专题：光电情报网信息监测服务平台
  • 编译者： husisi
  • 发布时间：2019-12-24

  • 12月22日，位于湖北武汉的弘芯半导体发布公告，该厂为首台高端光刻机设备进厂举行了隆重的进厂仪式，虽然官方没有公布具体信息，但可以确定是一台ASML的高端光刻机，售价也是数千万美元级别的。

    根据湖北媒体之前的报道，弘芯半导体制造产业园是2018年武汉单个最大投资项目，位于临空港经济技术开发区临空港大道西侧，规划用地面积636亩，建筑面积65万平方米，总投资1280亿元。

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    • 编译者：husisi
    • 发布时间：2022-02-07
    • 众所周知，芯片的原材料是砂子，但从砂子变成芯片，中间要经过N道工序，需要N种设备，同时也需要尖顶的技术。 而这些设备中，最重要的就是光刻机、刻蚀机了，按照机构的数据显示，在芯片制造的所有设备中，光刻机的成本占比约为24％，而刻蚀机的占比约为20％，这两种设备合计占比为44％。 之后再是薄膜沉积设备、测试设备和封装设备，分别占比20％、9％、6％。不过薄膜沉积设备不只有一台，而是一类机器，有很多种，与光刻机、刻蚀机还是不一样的。 那么问题就来了，既然这两种设备这么关键，那么国内的光刻机、刻蚀机技术如何，与世界先进水平相比，有多大的差距？ 先说光刻机，这也是大家最关心的，目前全球最顶尖的光刻机自然是ASML的0．55孔径的EUV光刻机，售价大约为22亿一台，可生产2nm以下甚至埃米级（0．1nm）级的芯片。 之后再是0．33孔径的ASML的EUV光刻机，售价10亿元一台，可生产5nm、4nm、3nm级别的芯片。 不过EUV光刻机只有ASML能够生产，像尼康、佳能也不生产不了，而目前国内厂商上海微电子能够生产的，且对外公开的（不公开的不清楚），只能用于90nm工艺，离ASML至少是10年的差距。 再说说刻蚀机，这一块国产就非常厉害了，国内有一家厂商叫做中微半导体，生产的刻蚀机，在精度方面已经达到了3nm，并且被台积电采用。 而中微半导体的刻蚀机与国际顶尖水平的应用材料、泛林相比，是处于同一水平的，这一块没有落后。 另外再提一下薄膜沉积设备这一块，国内北方华创等也有生产，不过精度大约在14nm的水平，国产化率在10％到15％。 可见，半导体设备中的关键产品，我们其实除了光刻机外，其它的并不算特别落后，只要国产光刻机能够有突破，那么纯国产芯片的工艺也就能够迅速突破了。
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  • 《制造1nm芯片的EUV光刻机：ASML已完成设计》
    • 来源专题：光电情报网信息监测服务平台
    • 编译者：husisi
    • 发布时间：2020-12-01
    • 11月中旬，在日本东京举办了ITF论坛。 论坛上，与ASML（阿斯麦）合作研发光刻机的比利时半导体研究机构IMEC公布了3nm及以下制程的在微缩层面技术细节。 至少就目前而言，ASML对于3m、2nm、1.5nm、1nm甚至Sub 1nm都做了清晰的路线规划，且1nm时代的光刻机体积将增大不少。 据称在当前台积电、三星的7nm、5nm制造中已经引入了NA=0.33的EUV曝光设备， 2nm之后需要更高分辨率的曝光设备，也就是NA=0.55。好在ASML已经完成了0.55NA曝光设备的基本设计（即NXE：5000系列），预计在2022年实现商业化 。 至于上文提到的尺寸为何大幅增加就是光学器件增大所致，洁净室指标也达到天花板。 阿斯麦目前在售的两款极紫外光刻机分别是TWINSCAN NXE:3400B和TWINSCAN NXE:3400C，3600D计划明年年中出货，生产效率将提升18%。
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