2015年10月7日
IMEC纳米电子研究中心和EDA公司Cadence宣布,他们已经完成了第一个使用5nm制造工艺的测试芯片的流片工作。
流片工作中最主要的流程包括极紫外光刻(EUV)和193nm沉浸光刻,主要制造部分是一个Finfet器件的无源部分后端设计中的金属互联。