硅光子晶圆代工商CompoundTek 已确认已开发出可用于8”/ 12”不可知硅光子晶圆测试中心的技术。该技术将满足市场的两个关键领域，即晶圆级边缘耦合能力和减少商业产品公司的测试时间。
目前硅光子晶圆测试是通过垂直光耦合到被测器件（DUT）中来进行的，这与实际的最终应用相反。在晶圆测试环境和最终应用之间造成不匹配通常会导致SiPh测试覆盖范围出现潜在差距，从而增加了对基于现实世界的测试场景进行故障排除的需求。CompoundTek新晶片边缘耦合技术的开发旨在通过检测边缘耦合器导致的故障来扩大现有SiPh晶片测试的覆盖范围。
晶圆级边缘耦合功能计划在2021年第一季度提供给主要客户，每个晶圆的长测试时间从36小时到长达96小时不等，具体取决于所需的测试类型和覆盖范围与完善的CMOS逻辑产品供应链的不同。
较长的测试时间归因于复杂的光电（DC和RF）测试，并且由于没有能够平衡测试覆盖范围和竞争性测试时间的标准化SiPh晶圆测试解决方案，因此无法成功地将光学组件成功集成到SiPh器件的芯片上，为大规模使用SiPh技术创造了障碍。
CompoundTek表示通过优化，产品测试时间减少多达40％。 TES实现了从概念到鉴定再到生产的大量设计所需的设备性能数据，旨在加速晶圆级SiPh测试服务的市场采用。为了进一步缩短测试时间，CompoundTek还开始研究测试并行性的策略，以缩短SiPh晶圆测试的周期时间。
