《Littelfuse在SiC功率半导体器件系列中增加了GEN2 1200V肖特基二极管》

  • 来源专题:集成电路
  • 编译者: Lightfeng
  • 发布时间:2018-06-10
  • 在德国纽伦堡举办的PCIM Europe 2018(电源转换和智能运动)中,提供电路保护技术的美国伊利诺斯州芝加哥的Littelfuse公司(包括保险丝,半导体,聚合物,陶瓷,继电器和传感器)推出了五款GEN2系列1200V,3L TO-247肖特基二极管和三款GEN2系列1200V,2L TO-263肖特基二极管,扩展了碳化硅(SiC)功率半导体器件产品组合。与硅器件相比,GEN2 SiC肖特基二极管大大降低了开关损耗,并大大提高了电力电子系统的效率和稳健性。

    Littelfuse指出,SiC技术所带来的高效益可为电动汽车(EV)充电器,数据中心电源和可再生能源系统的设计人员带来多重优势。由于GEN2 SiC肖特基二极管消耗的能量较少,并且可以在比许多其他解决方案更高的结温下工作,因此它们需要更小的散热片并实现更小的系统占用空间。

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    • 编译者:shenxiang
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    • 美国伊利诺伊州芝加哥的Littelfuse公司提供电路保护技术(包括保险丝、半导体、聚合物、陶瓷、继电器和传感器),推出了LSIC2SD065XXA和LSIC2SD065AXXA系列第二代650V系列、AEC-Q101合格的碳化硅肖特基二极管。 可选择电流额定值(6A、8A、10A、16A或20A),它们为电力电子系统设计人员提供各种性能优势,包括可忽略的反向恢复电流、高浪涌能力和最高工作结温度175°C,因此它们适用于高效率、可靠性和热管理的应用。 与标准硅PN结二极管相比,650V系列SiC肖特基二极管可显著降低开关损耗,显著提高电力电子系统的效率和鲁棒性。由于它们比硅基解决方案消耗更少的能量,并且可以在更高的结温下工作,因此它们允许更小的散热片和更小的系统占地面积,从而为最终用户提供更紧凑、节能的系统的优势,以及降低总体拥有成本的潜力。 650V系列SiC肖特基二极管的典型应用包括:功率因数校正(PFC)、DC-DC变换器的降压/升压级、反相器级的自由旋转二极管、高频输出整流和电动汽车(EV)应用。 图1:Littelfuse的新LSIC2SD065XXA(左)和LSIC2SD065AXXA(右)Gen2 650V SiC肖特基二极管。: 据称,650V系列SiC肖特基二极管具有以下优点: 符合AEC-Q101标准的二极管在苛刻的应用中表现出卓越的性能。 开关损耗远低于硅双极二极管,且具有快速、与温度无关的开关特性,使器件适用于高频功率开关。 正温度系数使操作安全,易于并联。 175°C的最高工作结温度提供了更大的设计裕度和宽松的热管理要求。 LSIC2SD065XXA系列SiC肖特基二极管有TO-252-2L(DPAK)封装,采用磁带和卷轴格式,最小订购量为2500台设备。LSIC2SD065AXXA系列SiC肖特基二极管有TO-220-2L封装,50个器件封装在一个管中,最小订货量为1000个单元。样品申请可通过全球授权的Littelfuse分销商提出。
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    • 来源专题:集成电路
    • 编译者:Lightfeng
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    • 瑞士洛桑联邦理工学院(EPFL)声称首次采用垂直氮化镓(GaN)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)与6英寸硅基板上生长的续流肖特基势垒二极管(SBD)通过金属有机化学气相沉积进行单片集成。 研究人员希望找到一种成本更低的垂直GaN功率器件。GaN衬底用于避免降低击穿的临界电场的缺陷。垂直功率器件应该能够比横向结构处理更高的电压和电流。大直径硅衬底的使用应该降低成本,但是GaN在硅上的生长倾向于引入许多性能破坏缺陷。 除了使用低缺陷密度的GaN衬底外,改善的击穿性能可能来自会增加漂移层厚度和降低背景载流子浓度,以及部署场板,边缘终端和保护环技术。也可以从诸如沟槽或结SBD的替代架构中提取益处。