银纳米线(Ag NW)薄膜被认为是传统铟锡氧化物的一种有前景的替代方法，但仍有一些局限性，包括导电率不高、透明性和环境不稳定。本文提出了一种改进银NW薄膜性能的刻蚀合成策略。与传统合成NWs高纵横比或采用导电涂层的方法不同，我们发现减少NWs的高反应性缺陷对于提高Ag NW薄膜的综合性能是有效的。该策略可以抑制高反应性缺陷的产生，同时可以在配体分布不均匀的环境下实现NWs的刻蚀生长。所得到的Ag NWs是一致的直，具有锋利的边缘结构。所得到的透明导电膜同时显示了导电性、透明度和空气稳定性的改善。即使在空气中暴露200天，没有防护涂层，该薄膜仍能满足实际应用的最高要求，具有361性能(即FoM > 350)。这些结果不仅说明了缺陷控制在银NWs合成中的重要性，而且为进一步优化银nw基薄膜的性能铺平了道路。
——文章发布于2018年7月5日
