以色列集成电路晶圆代工制造商高塔半导体（Tower Semiconductor Ltd）宣布正在参加通用微型光学系统激光器（LUMOS）计划，创建了一种集成的硅上激光光子学铸造工艺，该工艺可以将高性能III-V激光二极管与Tower的PH18生产硅光子平台相结合，LUMOS计划由美国国防高级研究计划局（DARPA）给予部分支持。高塔半导体在以色列Migdal Haemek设有制造厂，其美国子公司在加利福尼亚州Newport Beach和德克萨斯州圣安东尼奥市拥有制造厂。
准备好后，多项目晶圆（MPW）的运行将与新工艺协调。流程开发套件（PDK）的初始版本预计在2021年发布，并将包括激光器和放大器模块。
Tower表示，在硅上进行激光集成的好处有很多，不仅可以提高激光器的密度，还能够减少激光器与光子之间的耦合损耗，并且减少所需组件的数量以及简化封装方案。可以与Tower的无源和有源硅光子元件套件结合使用时，例如硅和氮化硅波导、Mach-Zehnder调制器（MZM）和锗（Ge）光电二极管，这种共同集成将实现目前批量半导体或光电子代工厂无法提供的新产品。
该工艺将成为DARPA LUMOS计划的一部分，该计划旨在将高性能激光器引入先进的光子学平台，以满足商业和国防应用的需求。
