《2025年冶金科学技术奖:激光耐热刻痕取向硅钢制造技术开发与应用》

  • 来源专题:关键矿产与绿色冶金
  • 编译者: 欧冬智
  • 发布时间:2025-09-18
  • 2025年冶金科学技术奖评选结果于8月1日公布,共有141个项目获奖。其中,“超厚规格直弧型板坯连铸机成套技术开发与应用”、“激光耐热刻痕取向硅钢制造技术开发与应用”和“极薄高强带材二十辊精密轧制智能控制技术研发与应用”三个项目获得特等奖。此外,“钢铁全产业链碳素流精益管控关键技术研发与应用”等28个项目获一等奖,“构造叠加晕找盲矿法及找矿效果”等38个项目获二等奖,其余72个项目获三等奖。特等奖项目之一“激光耐热刻痕取向硅钢制造技术开发与应用”由宝山钢铁股份有限公司等多家单位共同完成,项目背景是为了应对全球低碳经济发展的需求。 该项目的创新点包括全球首次采用超短脉冲激光诱导晶格库仑爆炸原理,解决了激光热熔效应带来的金属熔渣污染和刻槽边缘凸起等问题,实现了超短脉冲激光耐热刻痕产品的规模化生产。这一技术突破为制造节能变压器提供了关键支持,显著降低了变压器的空载损耗和噪声,并提升了卷铁心变压器的性能和市场竞争力。
  • 原文来源:http://mp.weixin.qq.com/s?__biz=MzA5ODEzMjgwNA==&mid=2656805650&idx=3&sn=fc7b83a0fb2244862f7cfe3e8eed9a09&scene=0#wechat_redirect
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    • 来源专题:中国科学院文献情报制造与材料知识资源中心 | 领域情报网
    • 编译者:冯瑞华
    • 发布时间:2019-04-16
    • 武汉光电国家研究中心甘棕松团队采用二束激光在自研的光刻胶上突破了光束衍射极限的限制,采用远场光学的办法,光刻出最小9纳米线宽的线段,实现了从超分辨成像到超衍射极限光刻制造的重大创新。 光刻机是集成电路生产制造过程中的关键设备,主流深紫外(DUV)和极紫外(EUV)光刻机主要由荷兰ASML公司垄断生产,属于国内集成电路制造业的“卡脖子”技术。2009年甘棕松团队遵循诺贝尔化学奖得主德国科学家斯特凡·W·赫尔的超分辨荧光成像的基本原理,在没有任何可借鉴的技术情况下,开拓了一条光制造新的路径。 双光束超衍射极限光刻技术完全不同于目前主流集成电路光刻机不断降低光刻波长,从193纳米波长的深紫外(DUV)过渡到13.5纳米波长的极紫外(EUV)的技术路线。甘棕松团队利用光刻胶材料对不同波长光束能够产生不同的光化学反应,经过精心的设计,让自主研发的光刻胶能够在第一个波长的激光光束下产生固化,在第二个波长的激光光束下破坏固化;将第二束光调制成中心光强为零的空心光与第一束光形成一个重合的光斑,同时作用于光刻胶,于是只有第二束光中心空心部分的光刻胶最终被固化,从而远场突破衍射极限。 该技术原理自2013年被甘棕松等验证以来,一直面临从原理验证样机到可商用化的工程样机的开发困难。团队经过2年的工程技术开发,分别克服了材料,软件和零部件国产化等三个方面的难题。开发了综合性能超过国外的包括有机树脂、半导体材料、金属等多类光刻胶,采用更具有普适性的双光束超分辨光刻原理解决了该技术所配套光刻胶种类单一的问题。实现了微纳三维器件结构设计和制造软件一体化,可无人值守智能制造。 同时通过合作实现了样机系统关键零部件包括飞秒激光器、聚焦物镜等的国产化,在整机设备上验证了国产零部件具有甚至超越国外同类产品的性能。双光束超衍射极限光刻系统目前主要应用于微纳器件的三维光制造,未来随着进一步提升设备性能,在解决制造速度等关键问题后,该技术将有望应用于集成电路制造。甘棕松说,最关键的是,我们打破了三维微纳光制造的国外技术垄断,在这个领域,从材料、软件到光机电零部件,我们都将不再受制于人。
  • 《长光华芯又一半导体激光芯片项目获江苏省科学技术奖一等奖》

    • 来源专题:光电情报网信息监测服务平台
    • 编译者:husisi
    • 发布时间:2022-03-03
    • 3月1日,江苏省人民政府公示了关于2021年度江苏省科学技术奖励的决定,长光华芯入选江苏省科学技术奖一等奖,更是近5年江苏省唯一一家由企业独立申报并荣获一等奖的企业。 江苏省科学技术奖 江苏省科学技术奖是江苏省委、省政府为了实施创新驱动战略,推进科技创新工程,加快建设创新型省份,鼓励支持聚焦重大产业科技创新需求,围绕我省自主可控的现代产业体系建设,对于在技术发明、技术开发、社会公益、重大工程中取得关键技术或系统集成上的重要创新、已实施应用两年以上、为江苏的经济建设和社会发展做出重要贡献的基础和应用类科技项目进行的奖励。 获得本次江苏省科学技术奖一等奖的是由长光华芯独立申报的“高亮度长寿命高功率半导体激光芯片关键技术及产业化”项目。 高能激光是我国重点战略发展领域,而高功率半导体激光芯片是当代高能激光器中最核心的母光源,是高能激光系统中的“心脏”,在激光先进制造和国家战略高技术(激光)领域起到不可替代的作用。 我国多年来在腔面处理等关键技术方面一直无法突破,长期处于“有器无芯”的局面,严重制约了我国高能激光领域的发展,是典型的“卡脖子”问题。 长光华芯在国家重点研发计划、省成果转化等项目的支持下,围绕高功率半导体激光芯片的最核心指标,功率、亮度、寿命及效率,在最关键的三大技术领域(腔面解理及钝化处理、芯片结构设计及制备工艺、外延结构设计及材料生长)进行了10年的技术攻关和创新,取得了重大突破。核心指标经第三方权威机构检测,全面达到甚至部分超出国外先进水平。 长光华芯自成立以来一直坚持自主研发和生产高功率半导体激光芯片,主要致力于高功率半导体激光器芯片、高效率半导体VCSEL芯片、高速光通信芯片及其器件和系统的研发、生产及销售。建成了全球唯二、国内唯一的6吋高功率半导体激光芯片晶圆垂直整合生产线,并在芯片设计、关键设备、工艺技术和原材料方面实现了自主可控。 公司产品已在相关国家重大项目或工程上应用,并在激光先进制造、新能源汽车等领域发挥重要作用,改变了我国高能激光领域因为“有器无芯”而被 “卡脖子”局面。 此外,长光华芯与苏州高新区共建的苏州半导体激光创新研究院即将投入使用,项目总投资5亿元,占地面积近2.3万平方米,建筑面积5万平方米,包含研发大楼、办公大楼、生产工艺大楼等。 研究院将充分利用长光华芯已有的高功率半导体激光芯片优势,横向拓展高效率半导体VCSEL芯片、高速光通信芯片、激光照明、激光显示等方向和领域,同时,通过研究院平台吸引全球该领域和相关领域高端人才,形成批量引进和集聚效应,建设国内一流的半导体激光芯片研发平台,打造半导体激光产业高地,进一步推动半导体激光芯片的国产化和产业化进程,打造完全自主可控的中国激光芯!