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《园艺应用的照明收入在2027年将达到38亿美元》

  • 来源专题：集成电路
  • 编译者： Lightfeng
  • 发布时间：2018-04-22

  • 根据Navigant Research发布的关于发光二极管（LED）的新报告，到2027年，园艺应用的全球灯具收入预计将达到38亿美元。

    “LED照明促进园艺应用”报告指出，通过提供更高的能源效率和更好的作物产量，LED技术的改进为种植者提供了更大的利润以及其他好处。利用日益增长的室内农业市场，当今的照明制造商正在提供LED的可调谐解决方案，支持植物在生长周期的不同阶段进行支持，使农民能够监测每种已知影响作物的因素。

    研究分析师Courtney Marshall说：“园艺LED应用的市场增长帮助降低了灯具的安装成本，推动了LED技术的进一步采用。由于供应商希望通过高质量的研究来升级他们的产品，这种反馈在更实惠的价格和更高的采用率之间形成了以创新和实验为特征的市场环境。”

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相关报告

  • 《到2027年VCSEL市场将达到50亿美元》
    • 来源专题：集成电路
    • 编译者：Lightfeng
    • 发布时间：2021-03-14
    • 市场研究公司Global Market Insights的一项研究显示，全球数据中心和数字解决方案的增多正在生成大量数据，从而加速了高速和高效数据传输技术的发展。其中包括垂直腔表面发射激光器（VCSEL），在各个垂直领域需求都在增长，如医疗、汽车、国防、航空航天等行业等。因此，到2027年，VCSEL市场预计将增长到50亿美元。 按材料类型划分，氮化镓（GaN）领域在2020年的市场份额约为6.5％，因为GaN基VCSEL具有低阈值电流、高效率、阵列形成能力和较低制造成本等特点，因此有望增长。它们有可能取代投影仪、光存储、激光打印机、生物传感器、固态照明和一些光通信应用中的传统LED。 在波长方面，波长高达1050nm的vcsel由于能够跨数据中心和企业网络传输大量数据而越来越受欢迎。数据中心规模的不断扩大推动了对波长更高的VCSEL的需求，这些可以在500m以上的距离上传输数据，这推动了1050nm VCSEL在多模光纤上高速运行的采用。 此外，VCSEL制造商正在开发新长波VCSEL，以满足高消费需求。2020年，ThorLabs宣布将其1060nm波长的VCSEL用于Atria光学相干断层扫描，包括扫描电子设备、干涉仪和控制软件。考虑到这些因素，预计到2027年<1050nm VCSEL细分市场（2020年市场份额为5.5%）的复合年增长率（CAGR）为11.5%。 根据应用，加热和激光打印领域在2020年拥有9％的市场份额，预计到2027年，复合年增长率将达到20.6％。VCSEL可提供强烈且高度定向的红外光，这推动了工业加热系统的采用。 VCSEL还能实现更高的光学效率和更小尺寸，并且具有成本效益，可应用于在高清晰度和高速打印中的应用。此外，随着数字化以及数字图像处理的兴起，需要在胶印机中安装VCSEL，这有助于清洁窄线并产生生动的图像 预计到2027年，汽车领域的复合年增长率将达到15％，预计这是由于车内舱内传感应用的需求增长，有利于自动驾驶技术的发展。几家著名的汽车OEM厂商越来越注重将自动驾驶技术纳入汽车模型中，以在该行业中获得竞争优势。 在地理区域方面，到2020年，欧洲VCSEL市场将占18％的市场份额，在该地区蓬勃发展的半导体产业和政府举措的推动下，到2027年，预计VCSEL市场将以约19.5％的复合年增长率增长。由于发生了COVID-19大流行，该地区的供应链受到了影响，这促使市场参与者减少了对亚洲国家的依赖。反过来，这又增加了对该地区半导体行业的投资活动，从而补充了整个欧洲的VCSEL业务。
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  • 《SiC和GaN功率半导体市场在2027年将超越100亿美元》
    • 来源专题：集成电路
    • 编译者：shenxiang
    • 发布时间：2018-11-02
    • 新兴市场碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率半导体预计将在2020年达到近10亿美元，推动力来自混合动力及电动汽车、电力和光伏（PV）逆变器等方面的需求。 SiC和GaN功率半导体在混合动力和电动汽车的主传动系逆变器中的应用，将导致2017之后复合年增长率（CAGR）超过35%，在2027年达到100亿美元。 到2020年，GaN-on-silicon (Si)晶体管预期将会达到与硅金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极晶体管（IGBT）持平的价格，同时也会提供相同的优越性能。一旦达到这个基准，2024年GaN电力市场预计将达到6亿美元，2027年攀升至17亿美元以上。 IHS Markit分析 对SiC行业持续强劲增长的预期很高，主要推动力是混合动力和电动汽车销售的增长。 市场的渗透也在增长，特别是在中国，肖特基二极管、MOSFET、结栅场效应晶体管（JFET）和其他SiC分立器件已经出现在量产汽车DC-DC转换器、车载电池充电器之中。 越来越明显的迹象是， 传动系主逆变器——采用SiC MOSFET，而不是Si绝缘栅双极晶体管（IGBT）—将在3-5年内开始出现在市场上 。由于非常多的设备用于主逆变器中，远远多于在DC-DC转换器和车载充电器中的数量，这就会迅速增加设备需求。也许在某个时间点，逆变器制造商最终选择定制全SiC功率模块，而不选择SiC分立器件。集成、控制和封装优化是模块化装配的主要优点。 不仅每辆车的SiC设备数量将会增加，而且对于电池电动汽车（BEV）和插电式混合动力电动汽车（PHEV）的新增全球注册需求也将在2017年和2027年之间增加10倍，因为全球许多政府都锁定目标降低空气污染，同时减少依赖燃烧化石燃料的车辆。中国、印度、法国、英国和挪威都已经宣布计划在未来数十年内禁止搭载内燃机的汽车，代之以更清洁的车辆。电气化车辆的前景一般来说将会因此而变得非常好，特别是对宽禁带半导体而言更是如此。 SiC 与第一代半导体材料Si和第二代半导体材料GaAs相比，SiC具有更优良的物理和化学性质，这些性质包括高热导率、高硬度、耐化学腐蚀、耐高温、对光波透明等。SiC材料优异的热学特性和抗辐照特性也使其成为制备紫外光电探测器的首选材料之一。此外，SiC基传感器能够弥补Si基传感器在高温、高压等恶劣环境下的性能缺陷，从而拥有更广阔的适用空间。 以SiC为代表的宽禁带半导体功率器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。 SiC电力电子器件主要包括功率二极管和三极管（晶体管、开关管）。SiC功率器件可使电力电子系统的功率、温度、频率、抗辐射能力、效率和可靠性倍增，带来体积、重量以及成本的大幅减低。 SiC功率器件应用领域可以按电压划分： 低压应用（600 V至1.2kV）：高端消费领域（如游戏控制台、等离子和液晶电视等）、商业应用领域（如笔记本电脑、固态照明、电子镇流器等）以及其他领域（如医疗、电信、国防等） 中压应用（1.2kV至1.7kV）：电动汽车/混合电动汽车（EV/HEV）、太阳能光伏逆变器、不间断电源（UPS）以及工业电机驱动（交流驱动AC Drive）等。 高压应用（2.5kV、3.3kV、4.5kV和6.5kV以上）：风力发电、机车牵引、高压/特高压输变电等。 SiC器件获得成长的最大抑制因素可能是GaN器件。第一个符合汽车AEC-Q101规范的GaN晶体管在2017年由Transphorm发布，而且在GaN-on-Si外延片上制造的GaN器件具有相当低的成本，也比在SiC晶片上制造任何产品都更为容易。由于这些原因， GaN晶体管可能会成为2020年代后期逆变器中的首选，优于较昂贵的SiC MOSFET 。 Transphorm创新的Cascode结构 近年来，有关GaN功率器件最有趣的故事是GaN系统集成电路（IC）的到来，也就是 将GaN晶体管与硅栅驱动器IC或单片全GaN IC一同封装起来 。一旦它们的性能针对移动电话和笔记本充电器和其他高容量应用得到优化，就很可能在更广泛的范围内大面积普及。相反，商业化的GaN功率二极管发展从未真正开始，因为它们未能提供相对于Si器件更为显著的益处，相关的发展已被证明太过昂贵而且不可行。SiC肖特基二极管已经很好地用于这一目标，并且具有良好的定价路线图。 GaN GaN功率器件和其他类型的功率半导体用于功率电子领域。基本上，功率电子设备利用各种固态电子部件，在从智能手机充电器到大型发电厂的任何事物中，更有效地控制和转换电能。在这些固态部件中，芯片处理开关和电源转换功能。 对于这些应用而言，GaN是种理想的选择。GaN基于镓和III-V族氮化物，是一种宽带隙工艺，意味着它比传统的基于硅的器件更快，而且能够提供更高的击穿电压。
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