日本东京的三菱电机公司（Mitsubishi Electric Corp）宣布推出其N系列1200V碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有功耗低和自接通耐受性高的特点。
具体而言，结型场效应晶体管（JFET）掺杂技术可降低开关损耗和导通电阻，从而实现功率MOSFET业界领先的品质因数（FOM），即1450mΩ.nC（在100°C结温下导通电阻乘以栅漏电荷）。与使用常规的硅绝缘栅双极型晶体管（IGBT）相比，用于供电系统的1200V SiC-MOSFET的功耗降低了约85%。
据称，通过降低镜电容（MOSFET结构中，栅极和漏极之间的杂散电容Crss），1200V SiC-MOSFET自接通耐受性比竞争对手的产品提高了14倍。因此可以实现快速的开关操作，有助于减少开关损耗。
由于降低了开关功率损耗，通过驱动具有更高载频的功率半导体，得以实现冷却系统及周边部件（如反应器）的小型化和简单化，从而有助于降低整个供电系统的成本的尺寸。该公司表示，新系列产品可以帮助减少需要高压转换的小型电源系统的功耗，例如电动汽车（EV）车载充电器、光伏电源系统等。
样品装运将于7月开始，此外，三菱电机还将在中国上海（11月16日至18日）举行的PCIM Asia 2020展览会上，展示其新款N系列1200V SiC-MOSFET。
