《ITER校正场线圈盒激光封焊获重要进展 》

  • 来源专题:中国科学院亮点监测
  • 编译者: yanyf@mail.las.ac.cn
  • 发布时间:2018-10-17
  •         近日,由等离子体所负责的ITER校正场线圈(CC)采购包中首个1:1全尺寸底部(BCC)模型线圈,顺利完成整体装配中最重要的一步——激光封焊,并被ITER组织官方网站newsline综合报道。该项技术的突破不仅表明项目组对高功率激光焊接设备与工艺研发终获成果,更是当前国内万瓦级激光焊接技术从实验室走向重大国际工程应用的重要里程碑。

      CC线圈绕组装入线圈盒后是将盒体与盒盖进行整体装配封焊,为保证线圈的整体刚度,必须保证线圈盒上所有焊缝全焊透。长达30米的焊缝如果采用常规焊接方法必将产生巨大的焊接变形导致无法满足线圈的外形尺寸要求。同时,为避免焊接时所产生的热量对线圈盒内部绕组造成损伤,必须严格控制焊接时绕组表面的温度不超过200摄氏度。项目组在经过充分的技术调研后决定采用激光焊接方法。

      激光焊接作为一种先进的高能束焊接技术,是以聚焦的激光束作为能源轰击焊接件所产生的热量进行焊接的方法。与其他焊接方式相比其优势在于:无需真空环境、热输入集中、热变形小、焊缝深宽比大、精度高、易于实现自动焊接,被认为是最合适于CC线圈盒封焊的焊接方法。但将先进的激光焊接技术应用于CC线圈盒的焊接面临着巨大的挑战:首先是CC线圈盒的大尺寸结构。当前成熟工程应用激光焊接技术的典型领域如动力电池、汽车白车身的焊接均为中小型尺寸的焊接件,应用于尺寸如此巨大的工程焊接件尚无成功案例;其次,线圈盒的结构复杂。在多方向的弯曲结构给自动焊接过程的实施带来巨大困难;第三,焊接厚度达20mm。当前工程中激光焊接的焊接深度基本为1-3mm,鲜有超过10mm的焊接厚度,随着焊接厚度的增加,焊接过程的稳定性、热源的精确控制以及对装配精度的精确控制等因素都给线圈盒的封焊过程带来未知挑战。

      在充分理解线圈盒激光焊接的技术难点基础上,CC项目组在国内率先搭建了首套20kW光纤激光焊接系统(为国际上公开报道的激光焊接技术工程应用的最大功率)。研究开发了超高功率大厚板激光焊接技术,解决了当前激光焊接面对大型结构件装配精度要求极高的“卡脖子”问题,掌握了大功率激光焊接熔深与热场精准控制,以及大型复杂工程结构件焊接过程的应力场与应变场控制等关键技术,并形成CC线圈盒封焊的标准工艺规范,得到了英国焊接研究所TWI的高度赞许。2018年6月份在ITER组织与欧洲核子研究组织的见证下,项目组顺利完成首个全尺寸BCC线圈盒的激光封焊,焊后线圈盒整体焊接变形≤4mm,焊缝质量达到ISO 13919-1 B级,绕组表面的温度控制在200度以内,实现了ITER校正场线圈盒高标准和高质量焊接。

相关报告
  • 《ITER PF6线圈制造取得进展》

    • 来源专题:中国科学院亮点监测
    • 编译者:liuzh
    • 发布时间:2018-12-12
    •   近日,随着熔安车间的一架75吨行车将第10个双饼(DP1)缓缓吊出并脱离平台模具,ITER PF6线圈的双饼批量生产已经圆满完成,标志着项目取得里程碑进展,目前已顺利进入线圈总装阶段。
  • 《硅基连续波QDash激光器》

    • 来源专题:集成电路
    • 编译者:Lightfeng
    • 发布时间:2020-12-06
    • 中国香港科技大学(HKUST)宣称制造了首个硅基连续波(CW)C波段(?1580nm波长)QDash激光二极管,其阈值电流密度低至1.55kA / cm2。该团队还建议QDash格式可用于半导体光放大器、调制器和光电探测器。除了高速大容量数据传输外,此类器件还可以用于光检测和测距(LiDAR)组件。 将硅基板在氢气中进行800℃的退火。第一缓冲层是1μm的砷化镓(GaAs),作为平面硅和InP晶格之间的中间层。通过在330°C至780°C之间进行五阶段热退火循环,可降低此缓冲区中的缺陷密度,并将x射线衍射(XRD)摇摆曲线半最大宽度(FWHM)从580弧秒减小到380弧秒。在10μmx10μm场的原子力显微镜分析中,平面Si(GoPS)上GaAs的均方根(RMS)表面粗糙度为1.1nm。 3.1μmInP缓冲液也分三步生长:445°C、555°C和630°C。在最高温度下生长InP,超晶格之间的InP间隔层厚度为250nm。2.8nm RMS的表面粗糙度略大于GaAs表面。表面的透射电子显微镜(TEM)分析给出了3.6x108 / cm2的缺陷密度的估计值,标准偏差为0.4x108 / cm2。 在此材料上生长了各种QDash结构。QDashs本身是从应变InGaAs上的InAs层组装而成的。使用InGaAs和/或InAlGaAs封盖工艺在低温和高温步骤中生长了一系列“井中”(DWELL)QDash层。QDash DWELL被夹在单独的限制异质结构之间,即InP模板晶格匹配的InAlGaAs覆层。 为了确定包层的最佳光学限制,改变折射率对比和层厚度,研究人员制作了三个不同的样品。发现QDashs沿[1-10]方向拉长,点密度为3.5×1010 / cm2。使用了InGaAs帽的样品B光致发光强度最高,从而减小了阱与QDash之间的能隙。 相对于样品C,样品B中InAlGaAs势垒的较低铝含量也降低了带隙并增加了折射率。这应导致改善的光学限制,但是减小的带隙可能会降低DWELL层中载流子限制的风险。 对于电泵浦激光器,生长顺序为600nm n-InP触点、630nm n-InP包层、三层QDash有源区、1500nm p-InP包层和140nm p-InGaAs触点。 三种类型的QDash结构用于脊形波导激光二极管中,第一台面终止于有源区上方,第二台面终止于n-InP接触层。在切割成激光棒之前,将样品减薄至100μm。刻面未涂覆。所有器件的脉冲测试中的开启电压约为0.7V。样品A的激光二极管在连续波(CW)工作时不会发光。同样,样品B在低阈值电流方面以及在最高温度90°C下的操作表现最佳。在脉冲条件下,样品B激光二极管的特征温度(T0)反映阈值变化较高。 激光二极管结构的变化(脊向下一步形成到n-InP触点)使得在8μmx1.5mm器件的CW操作中,可以将阈值电流密度降低到1.55kA / cm2。单面输出功率高达14mW。由于腔体尺寸较大,发射光谱由多个集中在1580nm处的峰组成,支持多种Fabry-Perot模式。