《普渡大学的研究人员捕获原子以制造用于量子网络的光子晶体管》

  • 编译者: 李晓萌
  • 发布时间:2024-08-20
  • 近日,普渡大学的研究人员成功地将铯原子捕获到集成光子电路上,该光子电路的功能相当于光子的晶体管,类似于电子晶体管控制电信号的方式。这项由Chen-Lung Hung副教授领导的突破,发表在《Physical Review X》期刊上,展示了使用冷原子集成纳米光子电路构建量子网络的潜力。

    “我们开发了一种技术,使用激光来冷却并密集捕获集成在纳米光子电路上的原子,其中光在一个细小的光子'线'中传播,或者更准确地说,在一条比人的头发细 200 多倍的波导管中传播,”Hung解释说,他也是普渡大学量子科学与工程研究所的成员。

    Hung解释说,这些原子被“冻结”到零下459.67华氏度,或仅比绝对零度高0.00002度,基本上处于静止状态。在这种极低的温度下,原子可以被瞄准光子波导的“牵引光束”捕获,并放置在比光的波长短得多的距离上——大约 300 纳米或者相当于病毒的大小。在这个距离下,原子可以非常有效地与限制在光子波导管内的光子相互作用。

    Hung进一步提到,他们使用Birck纳米技术中心最先进的纳米加工仪器,将光子波导管设计成直径约为30微米(比人类头发的直径小三倍)的圆形,以创建微环谐振器。然后,光将在微环谐振器内循环,并与被捕获的原子相互作用。

    该研究表明,这些被捕获的原子能够控制光子在电路中的传播,从而根据原子的状态允许或阻止光子的传输。如果原子处于正确的状态,光子就可以通过电路传输。如果原子处于另一种状态,光子就会被完全阻挡。原子与光子的相互作用越强,这个门就越有效。这个平台可以为未来的量子计算和光&物质相互作用的新实验铺平道路。

    该项目的所有团队都位于普渡大学,多年来一直在推进这一领域研究,并继续探索新的研究方向,包括高效的原子冷却和电路捕获。

相关报告
  • 《研究人员开发出用铒制造量子比特的新技术》

    • 来源专题:计量基标准与精密测量
    • 编译者:李晓萌
    • 发布时间:2024-04-18
    • 量子比特是量子技术的基石,寻找或构建稳定且易于操作的量子比特是量子技术研究的中心目标之一。科学家们发现,一个铒原子——一种稀土金属,有时被用于激光器或给玻璃上色——可以是一个非常有效的量子比特。 为了制造铒量子比特,铒原子被放置在“宿主材料”中,在那里铒原子取代了一些材料的原始原子。两个研究小组——一个是由芝加哥大学普利兹克分子工程校友曼尼什·辛格创立的量子创业公司memQ的研究小组,另一个是美国能源部阿贡国家实验室的研究小组——使用不同的铒宿主材料来推进量子技术,展示了这种量子比特的多功能性,并强调了材料科学对量子计算和量子通信的重要性。 这两个项目解决了量子计算研究人员一直试图解决的挑战:设计多量子位设备和延长量子位存储信息的时间。 “这两项研究的成果确实凸显了材料对量子技术的重要性,”参与了这两个项目的阿贡国家实验室科学家、芝加哥大学凯斯实验室科学家F. Joseph Heremans说。“量子比特所处的环境和量子比特本身一样重要。” 启动memQ选择性地激活铒量子比特,使其更容易控制多量子比特设备。 铒作为量子比特很受欢迎,因为它可以通过与互联网和电话线通道相同的光纤有效地传输量子信息;它的电子也以这样一种方式排列,它特别能抵抗可能导致量子比特丢失信息的环境变化。 但是,将铒插入宿主材料的生长过程会以一种科学家无法精确控制的方式将原子分散到整个材料中,这使得设计多量子位器件变得困难。在一项全新的技术中,memQ的科学家们发现了一种解决方法:用激光“激活”某些铒原子。这项研究最近发表在《Applied Physics Letters》期刊上。 memQ的首席技术官兼联合创始人Sean Sullivan说:“我们实际上并没有把铒放在特定的位置上,铒分散在整个材料中。”他毕业于Duality,这是一个量子创业加速器,由芝加哥大学波尔斯基创业与创新中心和芝加哥量子交易所共同领导,创始合伙人是伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校、阿贡大学和P33。“但是通过使用激光,我们可以改变特定区域的晶体结构,从而改变该区域的铒的性质。所以我们正在选择使用哪种铒作为量子比特。” 该技术依赖于主体材料二氧化钛(TiO2)的特性。由于其对称性,TiO2的晶格有两种可能的构型。插入到晶格中的铒原子将以不同的频率进行通信,这取决于它所处的TiO2的结构。 在memQ的技术中,铒分散在一种结构的TiO2薄膜中。然后,高功率激光聚焦在某些铒原子周围的晶体上,永久地将TiO2扭曲成只有在这些位置的其他构型。现在,激光选择的铒原子都可以以相同的频率通信,完全与其他原子分离。 新程序代表了量子技术领域的重大进步,被称为固态技术。 memQ的首席执行官兼联合创始人Manish Singh表示:“你不可能在100个随机位置使用量子比特来构建有用的东西。”“通过我们的平台,我们可以选择在我们想要使用的布局中使用哪种铒,这是固态社区长期以来一直回避的功能。” 阿贡科学家实现了长铒量子比特相干时间 衡量量子位有效性的一个关键指标是它的相干时间:它可以保留量子信息的时间。这对于打算用作量子存储器的量子比特尤其重要,量子存储器相当于经典计算机存储器。但是相干性是非常脆弱的——一个量子位可能会因为与环境中的某些东西(如空气或热量)相互作用而失去相干性。 铒原子可以利用它们的电子来保留量子信息,这些电子具有一种称为“自旋”的特性。原子核,即原子中心的质子和中子簇,也有“自旋”,电子和原子核的自旋可以相互影响。铒量子比特丢失量子信息的一种常见方式是,它的电子自旋与它周围一个原子的核自旋相互作用。 因此,阿贡国家实验室的研究员Jiefei Zhang为铒寻找了一种宿主材料,这种材料具有尽可能低的核自旋,但也可以用更传统的硅技术制造。她发现了一种不同的氧化物,这次是一种稀土元素:二氧化铈,也被称为铈(CeO2)。 铈是最丰富的稀土元素,在工业化学中用作氧化剂和催化剂。不像TiO2有多种可能的结构构型,CeO2只有一种,而且是极度对称的。正因为如此,在CeO2中的铒量子比特更加稳定。 “在铈中,两个不同的铒量子比特将看到相同的晶体环境,”Zhang说。“因此,同时控制它们非常容易,因为它们的行为方式非常相似。” 值得注意的是,memQ开发的新定位技术在像ceo2这样高度对称的晶体结构上是不可能的,但是Zhang能够从铒量子比特中看到更长的相干时间,随着他们继续发展实验,有可能更长。该作品可以在预印本服务器arXiv上找到。 Zhang说:“每种材料肯定都有优缺点,这在量子领域很常见。” 二氧化钛的研究是由memQ与Jonghoon Ahn博士、F. Joseph Heremans博士和Argonne国家实验室的Supratik Guha博士合作完成的。CeO2的工作来自F. Joseph Heremans博士、Supratik Guha教授和David D. Awschalom教授的团队,David D. Awschalom教授也是CQE的主任。该研究由Guha小组的研究生Gregory Grant和Jiefei Zhang博士领导。memQ与阿贡的关系超越了与CQE的关系。联合创始人Sullivan和Singh在阿贡国家实验室相识,当时他们分别是Guha和Awschalom小组的研究生和博士后科学家。memQ也是阿贡国家实验室为期两年的企业家奖学金项目Chain Reaction Innovations的一部分。
  • 《硅基铟镓砷量子阱晶体管》

    • 来源专题:集成电路
    • 编译者:Lightfeng
    • 发布时间:2019-03-31
    • 瑞士的IBM Research宣布称硅基射频III-V金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的高频截止值最高,并且他们的设备优于最先进的硅RF-CMOS。 研究人员使用由磷化铟阻挡层定义的铟镓砷(InGaAs)量子阱(QW)通道,减少了边界陷阱对测量频率范围内跨导的影响。 使用直接晶圆键合将QW沟道材料集成在硅基掩埋氧化物(BOX)上,其中氧化硅上的硅层不是有意掺杂的。替代金属栅极制造工艺始于沉积非晶硅伪栅极。氮化硅用于源极/漏极间隔,使用原子层沉积(ALD)和反应离子蚀刻的组合实现间隔物形成。用于接触延伸的空腔由受控氧化和蚀刻的“数字”循环形成。数字蚀刻还从源极/漏极接触区域移除了顶部InP阻挡层。通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)用n-InGaAs填充接触延伸腔。然后移除伪栅极并用氧化铝和二氧化铪高k栅极绝缘体以及氮化钛和钨栅极金属层代替。 20nm栅长MOSFET的输出电导比没有顶部InP屏障的参考器件高50%。顶部屏障的存在消除了半导体/栅极氧化物界面处的缺陷散射。当栅极长度为120nm时,QW MOSFET的峰值跨导比参考器件的峰值跨导大300%。在20nm的短栅极长度下,改善降低至60%。QW通道的有效移动性为1500cm2 / V-s,而没有顶部InP屏障的通道的有效移动性为500cm2 / V-s。研究人员评论说:“这种差异是因为使用QW减少了氧化物界面陷阱和表面粗糙度散射。” 20nm栅极长度MOSFET的截止频率(ft)为370GHz,最大振荡(fmax)为310GHz。该装置具有两个4μm宽的门指从中心杆分支。这些值代表了硅片上III-V MOSFET报告的最高组合ft和fmax。