《到2026年底,氮化镓射频器件市场将以两位数的年复合增长率增长到15亿美元以上》

  • 来源专题:集成电路
  • 编译者: Lightfeng
  • 发布时间:2018-10-29
  • 预计从2017到 2026年氮化镓射频(GaN RF)器件市场将收入将超过15亿美元,并且年复合增长率(CAGR)为两位数。

    报告指出,随着无线通信产业的蓬勃发展以及传统军事应用的持续发展,射频设备在多个方面发挥着重要的作用,这进一步增加了对高性能射频设备的需求。

    在移动通信领域,下一代智能手机要提高效率和实现5G就需要具有更高频率和功率的RF放大器。对于电视广播和开发卫星通信这也是必不可少的,因为可以减小终端中天线的尺寸。

    在未来,电信方面仍将是RF的主要用户,到2026年底,来自电信的收入有望占据近一半的市场份额。预计航空航天、国防和汽车将占据主要市场份额,用于医疗设备和工业的GaN射频设备的销售将在2026年实现平行扩展。

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    • 编译者:Lightfeng
    • 发布时间:2020-03-29
    • 根据国际市场研究机构ResearchAndMarkets.com的一份报告,RF半导体市场规模将从2020年的174亿美元增长到2025年的262亿美元,复合年增长率(CAGR)为8.5%。 一个主要的驱动因素是智能手机射频设备需求的不断增长。另外,由于LTE和先进技术的不断发展,对RF半导体的需求也在增加。此外,先进的射频设备在雷达和电子战(EW)系统中的重要性日益提高,也正推动着射频半导体行业的发展。但是,随着性能的提高,RF设备成本的上涨却正在抑制市场的增长。 GaN将以最高的复合年增长率增长。基于氮化镓(GaN)的RF半导体的需求在预测期内将以最高的复合年增长率增长,这要归功于其良好的功能特性,例如高击穿电压、高功率密度、高频运行、高效率、出色的散热性能和导电性能。在用于5G的更高频率中,GaN的效率比LDMOS /硅器件高10-15%。因此,预计在5G应用中,尤其是在基站功率放大器中,GaN有巨大的优势,从而在预测期间推动GaN市场。 甚高频和特高频将占据重要份额。以频率为基础,预计在预测期内占有最大市场份额的频段是VHF和UHF,它们被认为是现代无线通信系统最重要的频段之一。有线电视和有线宽带应用的需求不断增长,以及全球范围内LTE技术的日益普及,预计将成为VHF和UHF频带的RF半导体市场的主要驱动力。 亚太地区RF半导体行业将以可观的复合年增长率增长。计在预测期间内,RF半导体行业的地理区域将以最高复合年增长率增长,而亚太地区(APAC)则正在经历LTE技术的日益普及。特别是中国、日本和韩国等国家,对RF半导体的需求量很大,预计将推动整个亚太地区对RF半导体的需求增加。
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    • 来源专题:集成电路
    • 编译者:Lightfeng
    • 发布时间:2020-11-22
    • 根据Yole预测,碳化硅(SiC)器件市场估计将以30%的复合年增长率(CAGR)增长,从2019年的2.25亿美元增长到2025年的超过25亿美元 SiC技术正在赢得许多客户的青睐,并渗透到各种应用中。在电动汽车相关的应用的推动下,用于电力电子应用的SiC在未来五年会表现出强劲增长。 由于COVID-19大流行,2020年上半年电动汽车/混合电动汽车(EV / HEV)领域的SiC器件和材料市场增长放缓,这是由于原始设备制造商和SiC厂商均采取了封锁措施和减速生产。尽管如此,SiC的市场前景仍然乐观。预计汽车应用仍将是SiC电力行业的主要市场之一。在这种背景下,SiC汽车市场预计将以38%的复合年增长率增长,到2025年将超过15亿美元。 充电基础设施市场也需要大量应用SiC器件,并且需求正在迅速增长。Yole估计,这个市场的复合年增长率为90%,从2019年的500万美元增长到2025年的2.25亿美元。除汽车领域外,光伏技术(PVs)、铁路和电机驱动器等应用在2019-2025年期间还将显示两位数的复合年增长率。 尽管需求不断增长,但大规模商业化采用SiC仍然面临着挑战,其中包括晶片价格和某些工艺步骤的复杂性,特别是SiC蚀刻和高温注入。面对晶圆短缺,确保晶圆供应已成为设备制造商的首要任务。Cree、II-VI、SiCrystal、Tankblue、SiCC等晶圆供应商已经进行了大量投资以扩大产能。在中美贸易紧张关系之后,中国企业加快了建立国内碳化硅供应链的计划。