最近，在沙特阿拉伯的阿卜杜拉国王科技大学，由Haiding Sun，Xiaohang Li，Boon S Ooi等人领导的（KAUST）团队，首次提出了一种新型无位错纳米线结构，其具有渐变折射率分离限制异质结构（GRINSCH），在两个成分渐变的AlGaN层之间嵌入有源区，即GRINSCH二极管。
大量的实验工作表明，这种二极管具有优异的电学和光学性能。以前，在载流子注入和垂直光学模式限制改进的同时，这种GRINSCH二极管配置已成功地在传统的基于III-V激光二极管中应用，因此，具有GRINSCH配置的UV激光二极管可以利用偏振增强p型掺杂，来更好的实现载波和光学模式限制。
研究人员预计，这种结构将在制造自组装纳米线的高效器件（如激光器，光电探测器，调制器和光子集成电路PIC相关器件）上得到广泛应用。
