提出了一种基于自组装方法制备GaAs量子分子- ga金属纳米粒子复合物的金属-半导体纳米系统，用于产生THz辐射。讨论了在量子点分子(QDM)制备和金属纳米颗粒排列过程中，生长参数、衬底温度、Ga和磁通的作用。通过Ga表面扩散对Ga液滴成核位点的精细控制，获得了QDMs和金属纳米颗粒相对定位的调谐。典型QDM的电子结构计算的基础上执行的形态特征原子力显微镜和横截面扫描电镜和预测的结果证实了micro-photoluminescence实验,表明Ga金属nanoparticle-GaAs量子分子复合物从intraband适用于太赫兹代过渡。
——文章发布于2018年7月2日
