《美国商务部宣布与韩国芯片制造商SK海力士公司(SK hynix)达成初步协议条款,以推进美国人工智能(AI)供应链的安全》

  • 编译者: 李晓萌
  • 发布时间:2024-09-11
  • 近日,美国政府宣布,美国商务部和SK海力士(SK hynix)签署了一份不具约束力的初步条款备忘录(PMT),根据《芯片与科学法案》提供高达4.5亿美元的拟议联邦激励措施,以建立高带宽存储(HBM)先进封装制造和研发(R&D)设施。拜登总统签署了两党合作的《芯片与科学法案》,开创了美国半导体制造业的新时代,带来了振兴的国内供应链、高薪工作和对未来行业的投资。拟议的CHIPS投资建立在SK海力士在印第安纳州西拉斐特投资约38.7亿美元的基础上,用于建造一座人工智能(AI)产品的内存封装厂和一座先进的封装研发设施,创造约1000个新工作岗位,填补美国半导体供应链中的关键空白。

    美国商务部长Gina Raimondo表示:“拜登-哈里斯政府的《芯片与科学法案》是一个千载难逢的机会,可以增强美国的全球技术领先地位,并在此过程中创造高质量的就业机会。此次与SK海力士的历史性声明将进一步巩固美国的人工智能硬件供应链,先进半导体制造和包装的每个主要参与者都在我们的海岸上建设或扩张。”。“由于拜登总统和哈里斯副总统的领导,我们正在印第安纳州创造数百个新工作岗位,并确保印第安纳州和普渡大学在推进美国国家安全和供应链方面发挥关键作用。”

    “拜登总统和哈里斯副总统正在将最先进的半导体制造带回美国,”总统科技助理兼白宫科技政策办公室主任Arati Prabhakar表示。“先进的封装对人工智能和其他前沿系统越来越重要,但它需要极其精确的制造工艺。在《芯片与科学法案》的激励下,SK海力士将为我们国家所依赖的复杂计算系统做出重大贡献。同时,我们也在进行研发投资,以赢得未来。”

    西拉斐特工厂建立在SK集团之前宣布的数十亿美元投资美国制造业的承诺之上,包括电动汽车电池和生物技术,该承诺是在2022年7月与拜登总统会晤时宣布的。通过拟议中的CHIPS对全球领先的HBM生产商SK海力士的投资,拜登-哈里斯政府将在推进美国人工智能供应链的安全方面迈出有意义的一步。通过这一宣布,美国将与世界上所有五家领先的逻辑、内存和先进封装供应商达成初步协议。世界上没有其他经济体拥有超过两家在其海岸生产尖端芯片的公司。

    SK海力士位于普渡大学研究园区的西拉斐特工厂将拥有一条先进的半导体封装线,该线将大规模生产下一代HBM。这些高性能存储芯片是训练人工智能系统的图形处理单元(GPU)的关键组件,因其处理能力的提高。下一代芯片将在西拉斐特工厂大规模生产,并将拥有比该公司最新的HBM更先进的性能,HBM每秒处理高达1.18

    TB的数据,相当于230部全高清电影。该工厂的大规模生产预计将于2028年下半年开始。

    “拜登-哈里斯政府致力于在美国发明半导体技术并将其商业化,并促进国内半导体制造业的发展。通过拜登总统和哈里斯副总统对SK海力士的投资,我们可以推进我们实现这两个目标的承诺,”商务部负责标准与技术的副部长兼美国国家标准与技术研究院院长Laurie E.Locascio表示。“通过对SK海力士等公司的拟议投资,美国有机会成为世界上唯一一个每个能够生产尖端芯片的公司都将拥有大量制造业务和重要研发业务的国家。”

    由于这项拟议的投资,拜登-哈里斯政府将在印第安纳州建立一个研究中心,因为SK海力士与普渡大学建立了合作关系,普渡大学拥有美国大学同类中最大的设施,同时将下一代HBM和先进的包装研发带到了美国。下一代HBM将与普渡大学在这个生态系统中进行研发、大规模生产和封装,将在美国半导体生态系统中发挥重要作用,并推动美国的技术领先地位。

    SK海力士首席执行官Kwak Noh

    Jung表示:“我们深切感谢美国商务部的支持,并很高兴能与我们合作,共同见证这一转型项目的全面实现。”。“我们正在推进印第安纳州生产基地的建设,与印第安纳州、普渡大学和我们的美国商业伙伴合作,最终从西拉斐特供应领先的人工智能存储产品。我们期待建立一个新的人工智能技术中心,为印第安纳州创造技术就业机会,并帮助为全球半导体行业建立一个更强大、更有弹性的供应链。”

    SK海力士将与普渡大学合作制定未来的研发项目计划,其中包括与普渡的Birck纳米技术中心和其他研究机构和行业合作伙伴合作进行先进的封装和异构集成。SK海力士计划合作开发以内存为中心的生成式人工智能解决方案和架构项目,特别是内存设计和内存/近内存计算。作为其劳动力发展工作的一部分,SK海力士计划与普渡大学和常春藤科技社区学院合作,开发培训计划和跨学科学位课程,培养高科技劳动力,建立可靠的新人才管道。此外,SK海力士计划通过建立提供社区发展、成长机会和领导力培训的伙伴关系,支持普渡研究基金会和其他当地非营利组织和慈善机构的工作。

    该公司表示,计划申请财政部的投资税收抵免,预计最高可达合格资本支出的25%。除了拟议的高达4.5亿美元的直接资金外,CHIPS项目办公室还将根据不具约束力的PMT向SK海力士提供高达5亿美元的拟议贷款,这是CHIPS和科学法案提供的750亿美元贷款授权的一部分。

    正如其第一份资助机会通知中所解释的那样,在圆满完成对完整申请的择优审查后,该部门可以在不具约束力的基础上向申请人提供PMT。PMT概述了潜在CHIPS激励奖励的关键条款,包括奖励的金额和形式。奖励金额取决于尽职调查和奖励文件的谈判,并以实现某些里程碑为条件。PMT签署后,该部门开始对拟议项目进行全面的尽职调查,并继续与申请人谈判或完善某些条款。任何最终裁决文件中包含的条款可能与今天宣布的PMT条款不同。

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    • 编译者:李晓萌
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  • 《美国商务部宣布与Rogue Valley Microdevices(RVM)公司达成初步条款,以支持RVM建设新的芯片制造厂》

    • 编译者:李晓萌
    • 发布时间:2024-07-26
    • 近日,美国政府宣布,美国商务部和Rogue Valley Microdevices(RVM)公司签署了一份不具约束力的初步条款备忘录,根据《芯片和科学法》提供高达670万美元的拟议直接资金。拟议的CHIPS投资将支持RVM在佛罗里达州棕榈湾的纯玩微机电系统(MEMS)和传感器铸造厂的建设,预计将使RVM的制造能力增加近三倍。MEMS是集成电气和机械部件的微型器件;它们与广泛应用的半导体元件集成,实现了技术进步和性能提高。RVM是美国唯一一家专门从事高混合、低体积晶圆和MEMS铸造服务的纯MEMS铸造厂,这些服务对国防工业基地和生物医学行业都很重要。有了这项拟议投资,拜登-哈里斯政府将支持在300毫米晶圆上制造的MEMS器件的可靠国内供应,进一步加强美国供应链的弹性,同时在佛罗里达州创造75多个就业机会。 美国商务部长Gina Raimondo表示:“对RVM的拟议投资是拜登-哈里斯政府如何在半导体供应链上进行有针对性的投资,以重新点燃美国在半导体制造业的领导地位的又一个例子。”。“由于拜登总统的《芯片和科学法案》,当全球需求增加时,我们正在努力确保美国公司获得稳定的MEMS技术国内供应。” 美国国家经济顾问Lael Brainard表示:“对Rogue Valley Microdevices的投资再次证明了拜登总统对美国半导体复兴的承诺——使包括女性和少数族裔企业在内的各种规模的企业受益,并在全国各地的社区创造就业机会。”。 负责标准与技术的商务部副部长兼美国国家标准与技术研究院院长Laurie E.Locascio表示:“作为美国仅有的MEMS铸造厂之一,RVM的定位是通过其300mm MEMS铸造服务支持美国半导体生态系统。拜登总统的两党《芯片与科学法案》确保了美国在技术领导方面继续处于领先地位,RVM在佛罗里达州的工厂将支持这一努力。”。 Rogue Valley Microdevices创始人兼首席执行官Jessica Gomez表示:“作为第一家获得《芯片与科学法案》拟议资金的MEMS铸造厂,Rogue Valley Micro devices坚定地致力于先进微电子的陆上制造。我们计划利用这笔资金注入来增加微型智能传感器的产量,这些传感器对汽车、生物医学和工业等强大供应链至关重要的市场至关重要。我们还将从俄勒冈州的西海岸铸造厂扩大到佛罗里达州太空海岸的新工厂,该工厂很快将成为业界第一家提供300毫米产能的MEMS纯功能铸造厂。”。 拟议的CHIPS投资将支持该设施的建设,包括清洁室的翻新和设备安装。RVM在佛罗里达州棕榈湾工厂生产的第一批晶圆预计将于2025年初发货,该工厂的最终完工将于2025年年中完成。此外,RVM打算建立现场儿童保育,并寻求与当地儿童保育提供者合作,提供基于STEM的早期儿童保育教育和课后学术支持。 这是CHIPS首次提议对女性和少数族裔拥有的企业进行投资。拟议的投资还突显了小型企业在半导体生态系统中发挥的重要作用,特别是在MEMS等专业技术的开发和创新方面。 该公司还表示,计划向财政部申请投资税收抵免,预计这将高达合格资本支出的25%。RVM已获得州和联邦政府对其设施建设的支持,包括来自佛罗里达州商务部的500万美元贷款和来自其他州的320万美元奖励和额外拨款。 正如其第一份资助机会通知中所解释的那样,在圆满完成对完整申请的择优审查后,该部门可以在不具约束力的基础上向申请人提供PMT。PMT概述了潜在CHIPS激励奖励的关键条款,包括奖励的金额和形式。奖励金额取决于尽职调查和对奖励文件的协商,并以实现某些里程碑为条件。PMT签署后,该部门开始对拟议项目进行全面的尽职调查,并继续与申请人谈判或完善某些条款。任何最终授予文件中包含的条款可能与今天宣布的PMT的条款不同。