我们制作了MgO(100)/Mo/nd2fe14/mo/fe/Mo/Mo/Mo多层膜,在此过程中,我们试图通过形成超细层的叠加结构来避免负的J-ex接口和在Nd2Fe14B和-fe层之间的热扩散。无膜层的薄膜显示了各向同性的磁特性,而膜层厚度为1纳米的薄膜则显示了7科的垂直各向异性。主要回路的形状和第一阶反转曲线(FORCs)表明,通过1纳米厚的Mo层,nfe-b和-fe层之间存在正的交换耦合。