《工程师研制出第一代完全由纳米晶体油墨构成的晶体管》

  • 来源专题:集成电路
  • 编译者: Lightfeng
  • 发布时间:2016-04-15
  • 晶体管是电子产品最基本的构建块,用于构建能够放大电子信号或者使它们在数字计算中心转换于0和1之间的电路。但是,晶体管的制造是一个非常复杂的过程,需要高温和高真空设备。

    现在,宾夕法尼亚大学的工程师们展示出一种新的方法来制造这些设备:在液体纳米晶体油墨中依次沉积成分。

    Kagan的小组开发出了一个晶体管组成库,包含了四种纳米晶体油墨:导体(银)、绝缘体(氧化铝)、半导体(硒化镉),以及导体的掺杂物(银和铟的混合物)。

    卡根说:“这些材料就像喷墨打印机中的墨水一样,但是你可以从类似的散装材料中得到你想要或期望的所有特性,比如它们可以是导体、半导体或绝缘体。

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  • 《台积电:摩尔定律依然有效 晶体管将能做到0.1纳米》

    • 来源专题:集成电路
    • 编译者:shenxiang
    • 发布时间:2019-08-31
    • 近日,据台湾地区《经济日报》报道,台积电研发负责人、技术研究副总经理黄汉森表示,毋庸置疑的,摩尔定律依然有效且状况良好,它没有死掉、没有减缓、也没有带病,并透露晶体管将能做到0.1纳米。 1965年提出的摩尔定律(Moores Law)引领半导体发展超过半世纪,这个定律主要是指芯片上可容纳的晶体管数目,约每隔18个月便会增加一倍,性能也将提升一倍。 但摩尔定律有没有走到极限?走到极限未来会是什么样的发展?这是近几年来全球科技界业讨论相当多的问题。 近几年,互补金属氧化物半导体(CMOS)先进制程中,最新几代纳米节点的功耗改善程度,已出现明显的放缓。科技界观察到,从45纳米到14纳米的节能数据可以看出,虽然每一代制程,芯片的面积变得越来越小,但能够达到的能耗缩减幅度却越来越小,尤其在14纳米初期最为明显。近二、三年进入更先进的10纳米制程,也有类似状况。这不禁让人忧心,摩尔定律是否即将走到尽头? 对此,在本周开幕的第31届HotChips大会专题演讲中,台积电研发负责人、技术研究副总经理黄汉森表示,摩尔定律依然有效且状况良好。 对于未来的技术路线,黄汉森认为像碳纳米管(1.2nm尺度)、二维层状材料等可以将晶体管变得更快、更迷你;同时,相变存储器(PRAM)、旋转力矩转移随机存取存储器(STT-RAM)等会直接和处理器封装在一起,缩小体积,加快数据传递速度;此外还有3D堆叠封装技术。 黄汉森强调,社会对先进技术的需求是无止境的,他还强调,除了硬件,软件算法也需要迎头赶上。
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    • 来源专题:集成电路
    • 编译者:Lightfeng
    • 发布时间:2020-10-12
    • 瑞士意法半导体(STMicroelectronics)推出了MasterGaN,是第一个嵌入硅基半桥驱动芯片以及一对氮化镓(GaN)晶体管的平台。这个集成化的解决方案将加速下一代紧凑高效的充电器和电源适配器的开发,并用于高功率电子和工业应用。 意法半导体(ST)表示,其MasterGaN方法可缩短了产品上市时间,并确保了预期的性能,同时使封装变得更小、更简单、电路组件更少、系统可靠性更高。据估计,借助GaN技术和ST的集成产品,充电器和适配器将比普通硅基解决方案的尺寸缩小80%,将重量减少70%。 MasterGaN平台利用STDRIVE 600V栅极驱动器和GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)。 9mm x 9mm的薄型GQFN封装可确保高功率密度,专为高压板和低压板之间的爬电距离超过2mm的高压应用而设计。 该系列器件将跨越不同的GaN晶体管尺寸(RDS(ON)),并将以引脚兼容的半桥产品的形式提供,使工程师能够以最小的硬件更改来扩展设计。凭借GaN晶体管的低导通损耗和无体二极管恢复的特性,该产品在高端、高效率拓扑结构中表现了卓越的效率和整体性能增强。 意法半导体(ST)推出了具有MasterGaN1的新平台,该平台包含两个GaN功率晶体管,以半桥形式连接,并集成了高端和低端驱动器。具体来说,MasterGaN1包含两个常关晶体管,具有紧密匹配的时序参数,最大额定电流为10A和150mΩ导通电阻(RDS(ON))。逻辑输入与3.3V至15V的信号兼容。还内置了全面的保护功能,包括低端和高端UVLO保护、互锁、专用的停机引脚和过热保护。