中国西安电子科技大学发表了氮化铝镓（AlGaN）通道高电子迁移率晶体管（HEMT）的记录结果（Ming Xiao et al，IEEE Electron Device Letters，2018年6月18日在线发表）。改进的性能包括高最大漏极电流，低栅极漏电流，低关断状态漏极电流，高开/关电流比（Ion / Ioff），最大跨导和高电子迁移率。研究人员表示，这些是迄今为止文献中报道的有关AlGaN-channel HEMT 的最佳结果。
该团队评论说：“这些结果不仅极大地降低了AlGaN-channel HEMT与GaN-channel HEMT之间在最大漏极电流，最大跨导和电子迁移率方面的性能差距，而且在栅极漏电流， 断态漏极电流，Ion / Ioff比和击穿电压中表现出更好的性能。”
原则上，与传统的GaN-channel HEMT相比，更宽的AlGaN带隙应该提供更高的击穿电压，这表明了功率转换应用的潜力。
