《氢化物外延生长的铝镓氮紫外发光二极管的外量子效率光衰》

• 来源专题：纳米科技
• 编译者： chenfang
• 发布时间：2015-01-29

HVPE法生长360nmAlGaN/GaN UV和市场上可以买到的InGaN/GaN blue LED芯片的比较研究已经完成。这两种类型的LED光衰的共同特点是注入电流后分路导电性的增强。这些分路分布在扩展缺陷系统（EDS）中。导电性的增加是因为富集Ga或者In原子的EDS一部分中多声子载流子复合下形成的缺陷。这个过程是伴随着局部过热和Ga或者In原子的迁移。为了将AlGaN/GaN UV LEDs的寿命增加到2000小时，提高其纳米结构和纳米AlGaN成分排序显得尤为重要。