《国产芯突破,首款全自研7纳米GPGPU芯片成功“点亮”》

  • 来源专题:光电情报网信息监测服务平台
  • 编译者: husisi
  • 发布时间:2021-01-22
  • 近日,上海天数智芯半导体有限公司(以下简称“天数智芯半导体”)宣布,公司旗舰7纳米通用并行(GPGPU)云端计算芯片BI已于近日成功“点亮”。

    天数智芯半导体指出,这是国内第一款全自研、真正基于GPU架构下的7纳米制程GPGPU训练芯片,量产后将广泛应用于AI训练、高性能计算(HPC)等场景,服务于教育、互联网、金融、自动驾驶、医疗、安防等领域。

    据官网介绍,BI产品于2020年5月流片、11月回片并于当年12月成功“点亮”。该芯片使用7纳米制程及2.5DCoWoS封装技术,容纳240亿晶体管,单芯每秒可进行147万亿次FP16计算,每秒可完成上百路摄像头视频通道的人工智能处理,性能达市场主流产品的两倍。

    天数智芯总部位于上海张江,是中国第一家专注于GPGPU芯片高性能计算系统的硬科技企业。专注于云端服务器级的高端通用并行计算芯片研发,瞄准以云计算、人工智能、数字化转型为代表的数据驱动技术市场,解决核心算力瓶颈问题。

    据解放日报报道,GPGPU全称是通用图形处理器,就是让本为图形图像处理而生的GPU能够运行图形渲染之外的通用计算任务。因为其并行处理能力特别强,并且有很大的存储带宽,所以它被人工智能模型训练与推理、高性能计算所青睐,目前它在人工智能市场和高性能市场有广阔的应用空间。

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  • 《洞见 | MicroLED主要的芯片玩家及专利突破》

    • 来源专题:光电情报网信息监测服务平台
    • 编译者:husisi
    • 发布时间:2023-06-25
    • 万亿规模的显示产业正面临着传统应用市场步入电竞、车载、AR/VR等新兴应用领域,迫使显示技术加速迭代升级。在此背景下,具备超低功耗、高发光效率、高对比度、高集成度、小体积小尺寸等优点的MicroLED,成为最有希望主导面板市场的新一代显示技术。 新一代显示技术MicroLED迸发巨大应用前景,带动上游显示芯片需求快速增长。集邦咨询预测,预计2021年至2026年MicroLED车用显示驱动芯片产值将以10倍以上的速度增长,年复合增长率高达1384%;2023年至2026年MicroLED AR显示驱动芯片产值年复合增长率也将高达643%。 为了抓住这巨大发展机遇,MicroLED显示驱动芯片开始成为国内外厂商的研究重点。谁能在MicroLED技术瓶颈上实现最先突破,就有可能成为显示面板半导体产业的新领跑者,拿下最大的一块蛋糕。 MicroLED显示驱动芯片的主要玩家 据电子发烧友此前对显示驱动芯片产业的梳理,目前已量产MicroLED 显示驱动芯片产品的企业,主要有联咏科技、聚积科技、集创北方、云英谷、爱协生、凌阳华芯、明微电子、禹创半导体、显芯科技、思坦科技等。 另外,瑞鼎与友达也进行合作研发Micro LED显示驱动芯片,苹果也在加紧投资研发MicroLED面板技术,预计2024年推出首款搭载自研MicroLED显示驱动芯片的Apple Watch。近日,国内的初创企业彩山微也获数千万投资,开展MicroLED驱动芯片的研发。 虽然它们都是MicroLED领域的显示驱动芯片企业,但各家的技术优势、研发重点、商业模式均有所不同,具体我们来看一下以下重点的几家企业: 聚积科技成立于1999年6月,是一家专注于电源管理与光电应用芯片设计的企业,成立最初是做LED驱动芯片出名的,2018年其开始拓展MicroLED全新产品线,并于同年8月发布首颗MicroLED显示驱动芯片产品,2020年一季度开始聚积科技开始量产MicroLED显示器,出货量逐季攀升。 据了解,聚积科技以电竞屏幕为切入点,进入MicroLED应用市场。而在TrendForce最新举办的Micro LED Forum研讨会上,聚积科技分享了MicroLED大型显示器在元宇宙应用的重要性及公司布局。 此前聚积科技的市场部部门副理蔡宗达表示,“针对MicroLED相关应用,公司已有MBI5359/MBI5759等高整合IC作为早期方案供应给各大厂商。MicroLED公司之前以大型显示器为主要切入领域,若要导入更小尺寸面板,PPI的指针将会是驱动芯片的挑战,如何实现更高整合度让MicroLED驱动芯片方案更加合理,同时满足视觉效果要求,将会是聚积科技投入的研发重点。”聚积科技持续坚持MicroLED创新技术开发,其采用先进制程开发了低电流高精准度且低功耗的驱动晶片,成功点亮微型发光二极管显示器。 集创北方成立于2008年,是一家为LED显示屏、LCD面板、OLED以及新型显示屏提供显示芯片解决方案的企业。目前,在国内集成北方是显示驱动芯片经营规模最大且产品线布局最广的企业之一。2018年集创北方推出了ICND2069共阴极驱动IC,延续了ICND2055/65系列的优势,并匹配四合一共阴极LED使用,当前集创北方ICND2069驱动了市面上80%以上的四合一LED屏幕。 集创北方MicroLED显示系列芯片产品具备创新的行列整合架构,具有集成度高的特点,内置高灰度时钟,能有效提升显示刷新率和灰度等级,同时能够支持HDR、动态节能等功能,可实时监测LED开/短路、温度等信息。招股书显示,集创北方近年投入近三千万持续迭代面向Mini/MicroLED应用的显示驱动芯片产品。但目前集创北方的科创板IPO终止了,拟投资7.27亿元的Mini/MicroLED显示驱动芯片研发及产业化募投项目也暂且搁浅了。 2022年集创北方实现营业收入58.05亿元,同比增长2.31%;归母净利润为1.75亿元,同比大幅下滑81.22%。 云英谷也是MicroLED赛道上的领先者,其开发的MicroLED显示驱动背板芯片主要是面向VR/AR等智能头戴式设备应用领域的。云英谷的MicroLED芯片集驱动和显示背板一体,多款产品已在客户端验证并大量商用。2023年开年不久,凭借领先的MicroLED技术,云英谷MicroLED VTOS6205芯片荣获优秀技术创新产品奖。据了解,这款MicroLED芯片是云英谷为了进一步布局增强现实眼镜应用市场而推出的,产品可支持高速接口,刷屏速率为90Hz,内置温度补偿和电压补偿。 更值得一提的是凌阳华芯这家企业,它自设立之初就直接挑战新一代显示技术Mini/MicroLED驱动芯片的研发,专攻Mini/MicroLED领域的技术壁垒。目前凌阳华芯已拥有Mini/MicroLED核心专利15项,另外还有20项专利正在申请当中,在显示驱动架构、色彩灰度优化等先进技术研发方面构建了专利“护城河”。 2022年凌阳华芯重磅推出了两款Mini/MicroLED产品XM10480G、XM11202G,新品有效解决了小/微间距模块视效的八大问题:上下鬼影、开路毛毛虫、坏点十字架、低灰色块色偏、首行暗线、高对比度耦合、跨板耦合、跨板渐层色温。而且凌阳华芯采用12英寸40nm~80nm先进制程,结合高集成技术解决了Mini/MicroLED显示驱动芯片功耗占比变高的问题。 MicroLED成最活跃的研发地带,2023年迎来多重专利突破 不管是显示面板厂商,还是显示芯片设计企业,显示产业链上相关厂商都将MicroLED作为目前的研发重点。在过去十年,行业风向标苹果已累计投资至少10亿美元研发MicroLED技术。今天,更是有重磅消息放出,三星、LG显示器巨头主要供应商之一的默克集团暂停研发LCD面板,将所有研发资金投入到MicroLED、OLED等自发光屏幕材料上。 一时之间,MicroLED成为显示产业最活跃的研发地带,特别是初创企业。从前面MicroLED显示驱动芯片的主要玩家梳理中,我们就可以看到对MicroLED显示芯片研发最积极的初创企业。大量初创企业正获得资本大佬的投资,助力它们在MicroLED技术瓶颈上突破。 根据万象智库数据,2022年全年Mini&MicroLED产业链投融资涉及40家以上企业,共计813亿元融资资金。2023年以来,MicroLED产业链上的观海微、创维集团、昇印光电、Mojo Vision、VueReal、科韵激光、雷鸟创新、小派科技、立琻半导体、JBD、麦沄显示等企业先后完成不同规模的融资,加大MicroLED技术研发投入。 在资本的加持下,2023年以来国产厂商在MicroLED领域的专利突破也频频来袭,截至目前中国厂商MicroLED专利申请量已达50多项,包括思坦科技的发明专利“一种用于Micro-LED的色转换层及其制备方法”,以及兆驰半导体的四项MicroLED专利“一种MicroLED器件及其制备方法”、“一种Micro-LED芯片的巨量转移方法”、“一种倒装Micro-LED芯片及制备方法”、“一种全彩Micro-LED芯片及其制备方法”,闻泰科技的“Micro-LED显示器件的制备方法”,数字光芯的“采用堆叠式封装的Micro-LED微显示芯片”、“一种阶梯式线阵MicroLED、扫描装置及扫描方法”的发明专利等等。 2023年以来专利突破大体集中在巨量转移、芯片结构、封装、全彩显示等技术领域,国产厂商正快速加强MicroLED知识产权“护城河”。
  • 《再度突破,哈工大公布重要光刻机技术,国产芯片有望实现7纳米》

    • 来源专题:光电情报网信息监测服务平台
    • 编译者:husisi
    • 发布时间:2023-02-20
    • 光刻机已是当下中国芯片制造的最大瓶颈,为此中国芯片产业链一直都在共同努力,力求打破这一难关,而哈工大公布的光刻机技术将有助于打破这个环节,国产芯片的先进工艺问题将因此得以解决。 光刻机的研发难度非常大,虽然全球仅有ASML可以生产出先进光刻机,然而ASML自身也无法完全搞定整个光刻机元件,它自己仅能完成其中10%的零部件,其他零部件需要全球20多个国家的5000多家企业配合,由此可见光刻机这条产业链多么长。 中国的光刻机研发进展落后于其他环节,恰恰就在于产业链需要逐步完善,由于众所周知的原因,中国不仅难以买到先进光刻机,连先进光刻机的元件都难以买到,迫使我们建设自己的光刻机产业链。 此前在国内产业链的支持下,已逐步解决了双工作台、物镜系统、激光光源等诸多光刻机零部件,这次哈工大研发的“高速超精密激光干涉仪”,这项技术是14纳米光刻机的重要技术,可以确保掩膜工作台、双工作台和物镜系统之间复杂的相对位置,实现光刻机的整体套刻精度,可以确保诸多元件整合成系统后的芯片工艺精度,已是光刻机的最后技术之一,也意味着国产先进光刻机即将完成最后的步骤。 对于芯片制造工艺来说,14纳米光刻机并不仅限于生产14纳米工艺,通过多重曝光技术可以实现接近7纳米的工艺,其实此前台积电和三星都并非是从14纳米一步迈进到7纳米,还研发了10纳米、8纳米等工艺,甚至在7纳米工艺上也有7纳米和7纳米EUV之分,故以14纳米光刻机生产接近7纳米工艺的芯片是有可能的。 国产芯片除了在芯片制造工艺方面努力之外,还积极开发小芯片技术,通过将两块芯片堆叠可以大幅提升性能;将不同工艺、不同功能的芯片封装在一起也能大幅提升性能,这些技术台积电、Intel都在尝试,因为当前的硅基芯片达到3纳米之后已接近极限,开发芯片封装技术已成为芯片行业发展的一个方向。 国产芯片制造工艺如果能达到7纳米,加上小芯片技术,那么国产芯片的性能可望进一步提升至接近5纳米,到那个时候,困扰国产芯片的最大障碍将被彻底解决,美国意图以先进芯片技术阻碍中国科技体系发展的图谋将破产。 其实国产芯片如今在多条途径上发展先进芯片,上述这些都是基于现有的硅基芯片技术,而欧美发展硅基芯片技术已有近百年历史,这让他们在硅基芯片方面保持着领先优势,中国除了在硅基芯片上加快追赶之外,还在开发更先进的芯片技术,如量子芯片、光子芯片、碳基芯片技术等,这将是中国芯片弯道超车的机会。 在这些先进芯片技术方面,中国已取得一些优势,2022年底至今,中国已先后筹建了全球第一条量子芯片生产线、光子芯片生产线,凸显出中国在先进芯片技术方面的突破,这些先进芯片技术在加速推进量产,一旦实现商用就将具有赶超欧美的实力。 总的来说美国阻碍中国芯片产业发展的计划已不可能,反而是激发了中国芯片行业的潜力,短短数年时间在诸多芯片技术方面都取得突破,中国芯片或许在不久的将来打破美国在芯片技术方面的领先优势,正是有见及此,美国才会在诸多技术方面施加限制,反过来恰恰说明了中国芯片确实取得了巨大的进展,让它深感威胁。