《Littelfuse推出栅极驱动评估平台,以加快基于SiC的功率转换器的设计》

  • 来源专题:集成电路
  • 编译者: Lightfeng
  • 发布时间:2020-01-19
  • 提供电路保护技术的Littelfuse 公司推出了栅极驱动评估平台(GDEV),用于评估碳化硅MOSFET,碳化硅肖特基二极管和其他外围组件(如栅极驱动器电路),以便设计人员更好地了解碳化硅技术在连续工作条件下如何在转换器应用中发挥作用。

    与大多数其他SiC评估平台不同,GDEV提供快速连接插头引脚端子,可以快速而一致地比较不同的栅极驱动电路。 GDEV支持800V直流链路输入电压和高达200kHz的开关频率。

    GDEV的典型市场和应用包括:汽车EV / HEV充电站、工业电源、数据中心服务器、电信基站、太阳能/风能逆变器。

    Littelfuse表示,Gate Drive评估平台使用户能够:

    评估碳化硅功率MOSFET和二极管在额定电压和额定电流下的连续运行,为负载提供有功功率;

    分析与基于SiC的设计相关的系统影响,包括效率提高、EMI排放和无源组件;

    在定义明确且已优化的测试条件下比较不同栅极驱动器解决方案的性能;

    在连续工作条件下测试栅极驱动器电路,以评估栅极驱动器的热性能和EMI抗扰性。

    Littelfuse功率控制总监Corey Deyalsingh说:“栅极驱动器评估平台(GDEV)是碳化硅技术产品组合的重要拓展。GDEV可帮助工程师了解碳化硅器件的工作特性。 通过利用此评估平台,设计师将能更好地了解碳化硅技术带来的难以置信的节能机会。 掌握这些知识之后,我们预计设计师将更有可能将碳化硅纳入他们的未来设计中。”

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    • 来源专题:集成电路
    • 编译者:Lightfeng
    • 发布时间:2021-06-27
    • 日本京都的功率半导体制造商ROHM Semiconductor推出了AC/DC 转换器IC,其内置1700V 碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。针对工业应用对该器件进行了优化,以更好的面向大功率通用逆变器、AC伺服、商用空调、路灯等工业设备。 辅助电源是工业应用的重要组成部分,用于为栅极驱动器和控制单元提供不同级别的直流电压,但由于现有的硅 MOSFET 器件的损耗较高,导致无法实现更高的效率和更高的输出功率。现有的解决方案即增加散热器和额外的组件,但这也会加大设备的损耗以及额外空间会增加系统的尺寸。由于材料清单(BOM)较大,使用现有硅器件设计辅助电源的成本也会很高。 ROHM 的 BM2SC12xFP2-LBZ 功率 IC是准谐振(QR)AC/DC 转换器,在单个紧凑型表面贴装封装(即TO-263-7L封装,专为嵌入式SiC MOSFET 开发)中集成了1700V SiC MOSFET。ROHM表示,该IC 非常适合工业辅助电源解决方案,不仅提高效率、缩短设计时间、简化电路,并且通过提供集成解决方案减少额外组件方面,这些 IC 还最大限度地降低了组件故障风险,提高了产品的可靠性。 新产品支持400VAC 48W 输出辅助电源,并且能够实现以前无法实现的自动板安装,与标准配置相比,外部部件的数量显着减少,从 12 个部件(AC/DC 转换器 IC、800V SiC MOSFET x2、齐纳二极管 x3、电阻器 x6)再加上一个散热器,缩减到只有一个部分。 同时,采用 SiC MOSFET 可将电源效率提高超过 5%,并将组件故障的风险降至最低。 ROHM 表示,这可以显着提高工业设备的可靠性和节能性,同时显着减少安装面积和成本。 此外,为了支持设计人员,ROHM 提供了使用 AC/DC BM2SC123FP2-LBZ IC 的 BM2SC123FP2-EVK-001评估板,该 IC 在 400VAC 下可提供高达48W的功率,且无需任何散热器。评估板的测试结果表明,输出电压(24V)保持恒定,并且与输入电压无关。 新产品已经开始通过电商销售,在Digi-Key、Mouser 和 Farnell等电商平台均可购买,BM2SC12xFP2-LBZ IC样品的定价为 7.20 美元/单元(不含税),BM2SC123FP2-EVK-001 评估板的定价为 238.80 美元/单元。样品现已上市,计划于10月开始批量生产。
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    • 来源专题:集成电路
    • 编译者:Lightfeng
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    • 美国的Transphorm公司宣布推出第四代GaN平台,与前几代GaN相比,Transphorm的最新技术在性能、可设计性和成本方面均取得了进步。Transphorm还宣布,第四代及以后的平台将被称为SuperGaN技术。 Transphorm公司SuperGaN系列的TP65H300G4LSG是首款通过JEDEC认证的器件,是采用PQFN88封装的240mΩ650V GaN FET。第二个通过认证的SuperGaN器件是TP65H035G4WS,是采用TO-247封装的35mΩ650V GaN FET。这些设备目前正处于样品提供阶段,并将分别于2020年第二季度和第三季度上市。它们的目标应用包括适配器、服务器、电信、广泛的工业和可再生能源。系统设计人员可以在Transphorm的4kW无桥式图腾柱AC-DC评估板TDTTP4000W066C-KIT中评估这项技术。 该公司表示,新平台的专利技术带来的好处是可以增强Transphorm固有的GaN性能,并在组装和应用方面简化操作,这是SuperGaN品牌成功的催化剂。在其专利技术的驱动下,SuperGaN Gen IV的优势据说包括: 更高的性能:第四代产品的效率曲线更平坦、取值更高,其FOM优异度(RON * QOSS)改善了约10%; 更易于设计:第四代通过消除在高工作电流下对开关节点缓冲器的需求,提供了更高的设计简便性; 增强的浪涌电流能力(di / dt):消除了半桥中内置续流二极管功能的开关电流限制; 降低设备成本:第四代产品的设计创新和专利技术同样简化了器件的封装,从而降低了成本,使TransphormGaN的价格更接近于硅晶体管; 经过验证的坚固性/可靠性:第四代35毫欧FET的栅极稳定性和抗扰度与Transphorm第三代器件相同,均为+/- 20 Vmax和4 V。