市场传出存储器龙头韩国三星电子暂缓DRAM扩产消息。据业界消息，三星因为制程转进1y纳米后无法有效降低单位生产成本，原本第三季于韩国平泽厂（Pyeongtaek）东翼大楼（east wing）2楼扩增每月3万片DRAM产能的计划已暂缓。法人预期下半年进入旺季后，DRAM价格持续看涨到年底。
由于DRAM供给吃紧且价格持续调涨，包括三星、SK海力士、美光等三大厂都面临来自客户要求扩产的强大压力。不过，因为DRAM制程由1x纳米微缩到1y纳米的技术难度高，在无法有效降低单位生产成本情况下，近期业界传出三星暂缓扩产消息。
DRAM制程由20纳米往1x/1y纳米微缩，不仅新产能的设备投资金额创下新高，但晶圆良率提升脚步缓慢，导致单位成本降幅明显低于预期。外资分析师指出，在晶圆良率同样在85%的假设下，三星1y纳米8Gb DDR4单位成本仅比上一代1x纳米减少约11%，也就是说，将1y纳米DDR4良率低于80%，代表单位成本降幅将低于6%，若晶圆良率低于75%，1y纳米与1x纳米的DDR4成本几乎相同，代表制程微缩失去意义。
三星今年初释出将在平泽厂2楼扩大DRAM产能计划，包括在西翼楼2楼扩充每月2万片1x纳米产能，在东翼楼2楼每月扩充7万片1y纳米产能，其中东翼楼的产能建置包括第二季扩增4万片，第三季再扩充3万片。但因为1y纳米的微缩难度比预期高，无法有效降低单位生产成本，所以第三季扩增3万片月产能计划已暂缓，要等到良率明显提升后才会重启扩产计划。
