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《CST全球样品用于10G PON的1270nm DFB激光器》

  • 来源专题：集成电路
  • 编译者： Lightfeng
  • 发布时间：2018-03-11

  • III-V光电子晶圆厂位于英国苏格兰格拉斯哥附近的布兰太尔汉密尔顿国际科技园区的化合物半导体技术全球有限公司（CST Global）已经取样了其1270nm 2.5Gb / s非对称和10Gb /用于10G无源光网络（PON）应用的对称分布反馈（DFB）激光器。

    技术总监负责DFB激光器开发的Andrew McKee说：“CST Global目前正在对其非对称2.5Gb / s激光器进行beta采样，并对其对称的10Gb / s激光器进行α采样。正在进行ITU-GR468可靠性测试的不对称测试样本可用于客户在已知良好磁带上（KGDT）和TO56-can格式的试验。”

    他补充道：“对称的10Gb / s 1270nm激光器选项需要在大规模采用ONU之前进行全新的ONU设计，但它已经处于需求之中，我们很高兴为这个不断增长的市场中的两种主流技术提供解决方案。”

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    • 编译者：Lightfeng
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    • 中国香港科技大学（HKUST）宣称制造了首个硅基连续波（CW）C波段（?1580nm波长）QDash激光二极管，其阈值电流密度低至1.55kA / cm2。该团队还建议QDash格式可用于半导体光放大器、调制器和光电探测器。除了高速大容量数据传输外，此类器件还可以用于光检测和测距（LiDAR）组件。 将硅基板在氢气中进行800℃的退火。第一缓冲层是1μm的砷化镓（GaAs），作为平面硅和InP晶格之间的中间层。通过在330°C至780°C之间进行五阶段热退火循环，可降低此缓冲区中的缺陷密度，并将x射线衍射（XRD）摇摆曲线半最大宽度（FWHM）从580弧秒减小到380弧秒。在10μmx10μm场的原子力显微镜分析中，平面Si（GoPS）上GaAs的均方根（RMS）表面粗糙度为1.1nm。 3.1μmInP缓冲液也分三步生长：445°C、555°C和630°C。在最高温度下生长InP，超晶格之间的InP间隔层厚度为250nm。2.8nm RMS的表面粗糙度略大于GaAs表面。表面的透射电子显微镜（TEM）分析给出了3.6x108 / cm2的缺陷密度的估计值，标准偏差为0.4x108 / cm2。 在此材料上生长了各种QDash结构。QDashs本身是从应变InGaAs上的InAs层组装而成的。使用InGaAs和/或InAlGaAs封盖工艺在低温和高温步骤中生长了一系列“井中”（DWELL）QDash层。QDash DWELL被夹在单独的限制异质结构之间，即InP模板晶格匹配的InAlGaAs覆层。 为了确定包层的最佳光学限制，改变折射率对比和层厚度，研究人员制作了三个不同的样品。发现QDashs沿[1-10]方向拉长，点密度为3.5×1010 / cm2。使用了InGaAs帽的样品B光致发光强度最高，从而减小了阱与QDash之间的能隙。 相对于样品C，样品B中InAlGaAs势垒的较低铝含量也降低了带隙并增加了折射率。这应导致改善的光学限制，但是减小的带隙可能会降低DWELL层中载流子限制的风险。 对于电泵浦激光器，生长顺序为600nm n-InP触点、630nm n-InP包层、三层QDash有源区、1500nm p-InP包层和140nm p-InGaAs触点。 三种类型的QDash结构用于脊形波导激光二极管中，第一台面终止于有源区上方，第二台面终止于n-InP接触层。在切割成激光棒之前，将样品减薄至100μm。刻面未涂覆。所有器件的脉冲测试中的开启电压约为0.7V。样品A的激光二极管在连续波（CW）工作时不会发光。同样，样品B在低阈值电流方面以及在最高温度90°C下的操作表现最佳。在脉冲条件下，样品B激光二极管的特征温度（T0）反映阈值变化较高。 激光二极管结构的变化（脊向下一步形成到n-InP触点）使得在8μmx1.5mm器件的CW操作中，可以将阈值电流密度降低到1.55kA / cm2。单面输出功率高达14mW。由于腔体尺寸较大，发射光谱由多个集中在1580nm处的峰组成，支持多种Fabry-Perot模式。
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